[发明专利]导气管装置有效
申请号: | 201010188998.4 | 申请日: | 2010-05-17 |
公开(公告)号: | CN102254841A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 刘志益 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气管 装置 | ||
1.一种导气管装置,具有沿第一轴向、第二轴向与第三轴向的构形,其中,该第一轴向、第二轴向与第三轴向彼此为正交,该导气管装置包含有:
一本体,沿第二轴向的两端为头端与尾端、沿第三轴向的两端为两侧壁,该本体的头端附近沿第一轴向形成有一贯穿的第一通孔,该本体进一步包含有第一气孔与旁路气孔,该第一气孔是沿第二轴向配置,且贯通该本体的尾端与该第一通孔,该旁路气孔一端连通至该第一气孔,另一端连通至该第一通孔;以及
一尾管,接合至该本体的尾端,沿第二轴向形成有一贯穿的第二通孔,该第二通孔连通至该第一气孔。
2.根据权利要求1所述的导气管装置,其特征在于,该旁路气孔包含一对第二气孔、一对第三气孔与一对第四气孔,其中该等第二气孔的两端为封闭,该等第三气孔与第四气孔靠近于该本体的侧壁处为封闭,各第三气孔同时连通各第二气孔与该第一气孔,各第四气孔同时连通各第二气孔与该第一通孔,这些第二气孔是沿第二轴向配置,这些第三气孔与这些第四气孔是沿第三轴向配置,该第一通孔位于这些第二气孔之间,以及该本体头端于这些第二气孔处,进一步形成有一对凹陷的肩部。
3.根据权利要求2所述的导气管装置,其特征在于,进一步包含多个气密件,设置于这些第二气孔靠近该本体头端处、这些第三气孔靠近该本体侧壁处、以及这些第四气孔靠近该本体侧壁处,以及这些第二气孔、第三气孔与第四气孔的孔径均小于该第一通孔与第一气孔。
4.一种导气管装置,具有沿第一轴向、第二轴向与第三轴向的构形,其中,该第一轴向、第二轴向与第三轴向彼此为正交,该导气管装置包含有:
一本体,以多孔性陶瓷制作而成,该本体具有一外表面,且该本体沿第二轴向的两端为头端与尾端,该本体的头端附近沿第一轴向形成有一贯穿的第一通孔,该本体沿第二轴向形成有一第一气孔,该第一气孔贯通该本体的尾端与该第一通孔;
一尾管,接合至该本体的尾端,沿第二轴向形成有一贯穿的第二通孔,该第二通孔连通至该第一气孔;以及
气密包覆件,包覆于该第一通孔以外的该本体的外表面。
5.一种导气管装置,具有沿第一轴向、第二轴向与第三轴向的构形,其中,该第一轴向、第二轴向与第三轴向彼此为正交,该导气管装置包含有:
一本体,沿第二轴向的两端为头端与尾端、沿第三轴向的两端为两侧壁,该本体的头端附近沿第一轴向形成有一贯穿的第一通孔,该本体进一步包含有第一气孔与旁路气孔,该第一气孔是沿第二轴向配置,且贯通该本体的尾端与该第一通孔,该旁路气孔一端连通至该第一气孔,另一端连通至该第一通孔;
一尾管,接合至该本体的尾端,沿第二轴向形成有一贯穿的第二通孔,该第二通孔连通至该第一气孔;以及
一外管,具有一底管与连接于底管两端的两个侧管,藉此形成一个U形管,使该本体恰容置于该U形管所形成的区域内,且该本体的头端靠近该底管,该外管进一步包含有旁路流道与多个排气孔,该旁路流道配置于该底管与这些侧管的内部,这些排气孔一端连通至该旁路流道,另一端连通至外管的外部。
6.根据权利要求5所述的导气管装置,其特征在于,其中该旁路流道进一步包含有第五气孔与一对第六气孔,该第五气孔是沿第三轴向配置于底管,且两端为封闭,各第六气孔是沿第二轴向配置于各侧管,且这些第六气孔均连通至该第五气孔。
7.一种导气管装置,具有沿第一轴向、第二轴向与第三轴向的构形,其中,该第一轴向、第二轴向与第三轴向彼此为正交,该导气管装置包含有:
一本体,以多孔性陶瓷制作而成,该本体具有一外表面,且该本体沿第二轴向的两端为头端与尾端,该本体的头端附近沿第一轴向形成有一贯穿的第一通孔,该本体沿第二轴向形成有一第一气孔,该第一气孔贯通该本体的尾端与该第一通孔;
一尾管,接合至该本体的尾端,沿第二轴向形成有一贯穿的第二通孔,该第二通孔连通至该第一气孔;
气密包覆件,包覆于该第一通孔以外的该本体的外表面;以及
一外管,具有一底管与连接于底管两端的两个侧管,藉此形成一个U形管,使该本体恰容置于该U形管所形成的区域内,且该本体的头端靠近该底管,该外管进一步包含有旁路流道与多个排气孔,该旁路流道配置于该底管与这些侧管的内部,这些排气孔一端连通至该旁路流道,另一端连通至外管的外部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造