[发明专利]浅沟槽隔离形成方法有效
| 申请号： | 201010189054.9 | 申请日： | 2010-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102263052A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王乐 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 形成 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层，所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成有暴露出衬底的开口；
沿开口刻蚀所述衬底形成浅沟槽；
形成覆盖浅沟槽的底部和侧壁、开口的侧壁以及所述氮化硅层表面的保护氧化层；
在开口侧壁的保护氧化层表面形成隔离侧墙；
形成覆盖所述保护氧化层且填充所述浅沟槽和所述开口的隔离介质层；
平坦化隔离介质层和保护氧化层直至暴露出氮化硅层；
去除氮化硅层。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离形成方法，其特征在于，所述隔离侧墙的形成步骤包括：在所述保护氧化层表面形成隔离侧墙薄膜；对所述隔离侧墙薄膜进行回刻蚀，在形成有保护氧化层的开口侧壁形成隔离侧墙。
3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离形成方法，其特征在于，所述隔离侧墙的材料为氮化硅或者氧化硅。
4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离形成方法，其特征在于，所述隔离侧墙为单层结构或者多层堆叠结构。
5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离形成方法，其特征在于，所述隔离介质层的形成工艺为化学气相沉积工艺。
6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离形成方法，其特征在于，所述保护氧化层的形成工艺为化学气相沉积工艺。
7.如权利要求1所述的浅沟槽隔离形成方法，其特征在于，所述开口的形成工艺为等离子体刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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