[发明专利]保护元件及电子装置有效
申请号: | 201010189167.9 | 申请日: | 2010-05-24 |
公开(公告)号: | CN102263396A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 王钟雄;林鸿铭;陈国枢;罗文翔;江朗一 | 申请(专利权)人: | 乾坤科技股份有限公司 |
主分类号: | H02H3/20 | 分类号: | H02H3/20;H02H3/08 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 元件 电子 装置 | ||
1.一种保护元件,包含:
一基板,具有彼此相对的一第一表面与一第二表面;
一上电极,配置于该基板的该第一表面上,包含一第一子电极及彼此相对的一第三子电极与一第四子电极,其中该第一子电极具有一本体部以及与该本体部相连接的一第一延伸部;
一下电极,配置于该基板的该第二表面上;
一端电极,连接该上电极与该下电极;
一金属块,配置于该基板的该第一表面上,且连接该第三子电极与该第四子电极;
一加热器,配置于该基板上,且电性连接该第一子电极,其中该加热器在该基板的该第一表面上的正投影与该第一子电极的该第一延伸部在该基板的该第一表面上的正投影至少部份重叠;
以及一第一绝缘层,配置于该基板的该第一表面上,且具有不相连的一第一低热传导部以及一第二低热传导部,其中该第一低热传导部位于该加热器与该第三子电极之间,而该第二低热传导部位于该加热器与该第四子电极之间。
2.根据权利要求1所述的保护元件,其中该第一低热传导部与该第二低热传导部之间存在一第一间距,而该第一延伸部配置于该第一间距中。
3.根据权利要求2所述的保护元件,其中该第一延伸部的一部分位于该第一间距中,而该第一延伸部的另一部分位于该第一低热传导部与该第二低热传导部上。
4.根据权利要求3所述的保护元件,其中该第一延伸部具有一凹槽结构位于该第一间距中。
5.根据权利要求1所述的保护元件,更包含一金属线,配置于该金属块的上方并部分接触于该金属块,且固定于该第一子电极上,且该金属线在该基板的该第一表面上的正投影与该第一子电极在该基板的该第一表面上的正投影至少部份重叠。
6.根据权利要求1所述的保护元件,更包含一助熔剂,配置于该基板的该第一表面上,并位于该第一子电极与该第三子电极之间以及位于该第一子电极与该第四子电极之间,至少覆盖部分该第一绝缘层。
7.根据权利要求1所述的保护元件,其中该加热器位于该基板的该第二表面上,且连接该下电极,该基板的热传导系数大于该第一绝缘层的热传导系数。
8.根据权利要求7所述的保护元件,其中该第一低热传导部位于该基板与该第三子电极之间,该第二低热传导部位于该基板与该第四子电极之间。
9.根据权利要求1所述的保护元件,更包含一第二绝缘层,配置于该加热器与该第一子电极之间,其中该第二绝缘层的热传导系数大于该第一绝缘层的热传导系数。
10.根据权利要求9所述的保护元件,其中该第一低热传导部与该第二低热传导部延伸至该加热器上,且该第一低热传导部与该第二低热传导部之间存在一第二间距,而该第二绝缘层配置于该第二间距中。
11.根据权利要求9所述的保护元件,其中该第一绝缘层更包含一第三低热传导部以及一第四低热传导部,该第三低热传导部与该第四低热传导部配置于该第二绝缘层上,且该第三低热传导部与该第四低热传导部之间存在一第二间距,而该第一子电极的该第一延伸部配置于该第二间距中。
12.根据权利要求9所述的保护元件,其中该第二绝缘层的材质包含一陶瓷材料。
13.根据权利要求9所述的保护元件,其中该第二绝缘层的热传导系数范围介于8W/(m·K)至80W/(m·K)之间。
14.根据权利要求1所述的保护元件,其中该第一绝缘层的材质包含一玻璃材料或一高分子材料。
15.根据权利要求1所述的保护元件,其中该第一绝缘层的热传导系数小于2W/(m·K)。
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