[发明专利]高孔隙率磷酸盐结合氮化硅多孔陶瓷的制备方法无效
| 申请号： | 201010189177.2 | 申请日： | 2010-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102267814A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈斐;马玲玲;沈强;王传彬;张联盟 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B38/00;C04B35/622 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 王守仁 |
| 地址： | 430071 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 孔隙率 磷酸盐 结合 氮化 多孔 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种氮化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征是一种添加造孔剂的磷酸盐结合氮化硅多孔陶瓷的制备方法，该方法的步骤包括：
(1)先将10～50vol.％造孔剂直接与α-氮化硅粉、氧化物粉以乙醇为球磨介质混合均匀，然后烘干，得到混合粉；
(2)将磷酸按照与氧化物粉形成磷酸盐的化学计量配比加入到上述混合粉中，得到混合料；
(3)将混合料采用模压成型和冷等静压处理，得到成型样品；
(4)将成型样品在500～700℃进行热处理并保温2～5小时，使磷酸与氧化物粉反应形成磷酸盐并起粘结作用，且造孔剂能够充分排除，得到热处理后的产物；
(5)将热处理后的产物在800～1200℃氮气气氛保护下常压烧结，控制反应速率为50～200℃/小时和保温时间2～5小时，即得到所述的氮化硅多孔陶瓷。
2.根据权利要求1所述的氮化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于：所述造孔剂、α-氮化硅粉、氧化物粉和乙醇的重量配比为(1～5)∶6∶1∶10。
3.根据权利要求1所述的氮化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于：所述造孔剂为玉米淀粉、萘粉或碳粉。
4.根据权利要求1所述的氮化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于：所述磷酸盐主要为磷酸锆、磷酸铝、磷酸铬、磷酸镧或磷酸硅。
5.根据权利要求1所述的氮化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于：所述冷等静压成型压力为50～300MPa。
6.根据权利要求1所述的氮化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于：所述α-氮化硅粉的平均粒径小于或等于0.5μm。
7.根据权利要求1所述的氮化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于：所述的氮化硅多孔陶瓷的密度为0.8～2.0g/cm3。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学，未经武汉理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010189177.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
