[发明专利]接收器有效
申请号: | 201010189403.7 | 申请日: | 2010-05-25 |
公开(公告)号: | CN101902233A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
发明(设计)人: | 吉川直人 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H04B1/16 | 分类号: | H04B1/16;H04B1/12;H03F1/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接收器 | ||
技术领域
本发明涉及一种接收器,诸如例如包括能够应用于电视调谐器等等的低噪声放大器的无线通信设备。
背景技术
低噪声放大器用于以电视调谐器为代表的无线接收器中。
日本专利特许公开No.2008-17058公开了一种用于低噪声放大器等等的线性化的失真(strain)补偿电路。
图1是示出实现构成低噪声放大器的差分放大器、及失真补偿功能二者的配置的例子的电路图。
如图1所示,低噪声放大器1包括构成差分对晶体管11的n沟道MOS(NMOS)晶体管NT1和NT2、及电流源12。
失真补偿器2包括构成差分对晶体管21的NMOS晶体管NT3和NT4、和电流源22。
下面,将描述图1所示的电路的操作原理。
在由两个MOS晶体管(每个MOS晶体管作为符合平方特性的绝缘栅场效应晶体管)构成的差分对中,在恒定输入振幅下,三阶失真(three orderstrain)分量的振幅IM3、过驱动电压(Vgs-Vth)、及晶体管尺寸W之间的关系由表达式(1)表示:
其中α为器件工艺(device process)特有的比例系数。
关于失真补偿建立条件,由失真补偿器2生成的三阶失真分量的振幅IM3等于由低噪声放大器1生成的三阶分量的振幅IM3。因此,当失真补偿器2的晶体管尺寸与低噪声放大器1的晶体管尺寸的比率根据表达式(1)设置为1∶M时,在电流比率之间建立下面的关系表达式(表达式(2)):
Ic=Id×M3 ......(2)
其中Id是补偿电路中的消耗电流,Ic是低噪声放大器中的消耗电流。
而且,补偿建立状态中的总增益根据电路配置而如表达式(3)所示地减小:
其中G是比率补偿阶段中的增益。
发明内容
图1所示电路中的固有问题是,由于生成的器件(device)噪声通过使用失真补偿器2而增大,而增益根据表达式(3)而减小,因此噪声因子(noisefactor)特性通过执行失真补偿而劣化。
另外,表面上,从表达式(3)看起来似乎增益的减小能够通过最小化数值M来避免。
然而,当在实际电路中实现这样的条件时,如根据表达式(2)明显的是,过驱动电压在失真补偿器2和低噪声放大器1之间显著不同。由此,数值M的下限受工艺离散(process dispersion)、温度特性、或频率特性的限制。作为结果,可能无法避免噪声因子特性的劣化。
为了解决上述问题而做出本发明,因而可以希望提供一种接收器,其中,失真补偿能够精确执行,而噪声因子特性的劣化被抑制,由此接收器的动态范围能够提高。
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