[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201010189492.5 | 申请日： | 2010-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101924092A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 小林伸行 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L23/34;G09G3/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;安翔 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
散热器板，所述散热器板被保持在预定电势；
SOI(绝缘体上硅)芯片，所述SOI芯片被安装在所述散热器板上；以及
热脂，所述热脂被施加到所述散热器板与所述SOI芯片之间的界面，
其中所述SOI芯片包括：
第一硅衬底，所述第一硅衬底形成电路元件部；
第二硅衬底，所述第二硅衬底面向所述散热器板；以及
绝缘膜，所述绝缘膜被形成在所述第一硅衬底与所述第二硅衬底之间，
其中，所述第一硅衬底和所述第二硅衬底被相互电连接，以及
所述热脂是导电性的并且电连接所述第二硅衬底和所述散热器板。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述SOI芯片进一步包括接触孔，所述接触孔通过所述绝缘膜从所述第一硅衬底穿透，以到达所述第二硅衬底，以及
所述接触孔电连接在所述电路元件部中形成的接地电极和所述第二硅衬底。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，以TCP(带载封装)或COF(覆晶薄膜)的形式来封装所述SOI芯片。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，
其中，在所述TCP或所述COF中，所述接触孔被连接到提供所述预定电势的内部引线。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述预定电势是所述电路元件部中的接地电势。
6.根据权利要求2所述的半导体器件，
其中，所述电路元件部形成PDP(等离子体显示面板)地址驱动器电路，
所述PDP地址驱动器电路包括高电压输出部和低电压逻辑部，以及
所述接触孔电连接所述第二硅衬底和所述高电压输出部的所述接地电极。
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