[发明专利]一种高硒大豆的培植方法无效
申请号: | 201010189517.1 | 申请日: | 2010-06-02 |
公开(公告)号: | CN102265742A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 蒋新东 | 申请(专利权)人: | 蒋新东 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00;A01C21/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 277000 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大豆 培植 方法 | ||
1.一种高硒大豆的培植方法,其特征是:采用窄行密植播种法,该方法包括按通常的大豆种植时间播种、间苗的培植程序进行,缩垄增行、窄行密植,改通常的60-70厘米宽行距为40-50厘米窄行密植。
2.根据权利要求1所述的一种高硒大豆的培植方法,其特征是:大豆施肥采用的肥料是同申请人研制生产的大豆专用硒肥。
3.根据权利要求2所述的一种高硒大豆的培植方法,其特征在于:大豆专用硒肥在栽前结合整地作基肥施用,使其土肥融合,使用量因地制宜。
4.根据权利要求2所述的一种大豆专用硒肥,其特征在于:在大豆幼前期及初花期施用少量大豆专用硒肥。施用量一般以每亩施大豆专用硒肥7.5-10Kg为宜。
5.根据权利要求2所述的一种大豆专用硒肥,其特征在于:追肥时先在两行大豆之间挖深度为15-20厘米的施肥沟,然后施肥覆土。
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