[发明专利]一种陶瓷小外形外壳的外引线与陶瓷基座的结合工艺有效
| 申请号： | 201010189521.8 | 申请日： | 2010-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101901771A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 沈伟鸣;丁六明;史丽英;宋旭烽;冯旭军 | 申请（专利权）人： | 江苏省宜兴电子器件总厂 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 214221 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷 外形 外壳 外引 基座 结合 工艺 | ||
1.一种陶瓷小外形外壳的外引线与陶瓷基座的结合工艺，其特征在于，它包括如下步骤：
(1)在陶瓷外壳的基座上待安装外引线的位置处钻通孔，通孔与外引线垂直；
(2)在陶瓷基座上引线安装位置用金属化浆料印刷，形成金属化区；
(3)对通孔进行金属化；
(4)对陶瓷外壳基座进行生瓷切割，使通孔变成半圆柱槽；
(5)对陶瓷件与金属化线路进行高温共烧，共烧温度为1600～1700℃，共烧时间为8～10h；
(6)将外引线与陶瓷基座利用焊料焊接在一起即可，钎焊温度为800～900℃，焊接时间1～2h。
2.根据权利要求1所述的一种陶瓷小外形外壳的外引线与陶瓷基座的结合工艺，其特征在于：步骤(1)中的通孔的横截面是圆形，经步骤(4)形成半圆柱槽。
3.根据权利要求1所述的一种陶瓷小外形外壳的外引线与陶瓷基座的结合工艺，其特征在于，步骤(1)中所述通孔的直径小于等于外引线的引脚宽度。
4.根据权利要求1所述的一种陶瓷小外形外壳的外引线与陶瓷基座的结合工艺，其特征在于，所述的通孔由数控钻床或程控打孔机成型。
5.根据权利要求1所述的一种陶瓷小外形外壳的外引线与陶瓷基座的结合工艺，其特征在于，步骤(2)中，所述的金属化浆料由细度1.1～1.4微米的钨粉加溶剂混合搅拌而成，钨粉占金属化浆料总重量的70～90％，溶剂占金属化浆料总重量的10～30％；
所述的溶剂包括如下含量的组分：占溶剂总重量5～15％的聚乙烯醇缩丁醛，占溶剂总重量30～50％的丁基卡必醇，占溶剂总重量5～15％的表面活性剂，占溶剂总重量30～50％的萜品醇。
6.根据权利要求5所述的一种陶瓷小外形外壳的外引线与陶瓷基座的结合工艺，其特征在于，所述的表面活性剂为美国联合碳化公司生产的型号为N-10的表面活性剂。
7.根据权利要求5所述的一种陶瓷小外形外壳的外引线与陶瓷基座的结合工艺，其特征在于，所述的萜品醇是美国皇冠化工有限公司生产的型号为#318的萜品醇。
8.根据权利要求1所述的一种陶瓷小外形外壳的外引线与陶瓷基座的结合工艺，其特征在于，步骤(3)中，对通孔金属化采用小孔填料的方法实现。
9.根据权利要求1所述的一种陶瓷小外形外壳的外引线与陶瓷基座的结合工艺，其特征在于，步骤(6)中，所述的焊料的熔点低于陶瓷件及金属引线的熔点。
10.根据权利要求9所述的一种陶瓷小外形外壳的外引线与陶瓷基座的结合工艺，其特征在于，所述的焊料为为银铜合金，含量为Ag72Cu28。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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