[发明专利]镓酸盐发光元件及其制备方法

权利要求书

1.一种镓酸盐发光元件，其特征在于，包括La_1-xGaO₃:Ln_x薄膜和位于所述La_1-xGaO₃:Ln_x发光薄膜表面上的金属层，所述金属层具有金属微纳结构，其中，Ln为Tm、Tb、Eu、Sm中的一种或两种，x的取值范围为0.001≤x≤0.10。

2.根据权利要求1所述的镓酸盐发光元件，其特征在于，所述金属层由银、金、铝、铂、钯、铜或它们中两种或两种以上的合金制成。

3.根据权利要求1所述的镓酸盐发光元件，其特征在于，所述金属层的厚度为1～100nm。

4.一种镓酸盐发光元件的制备方法，其特征在于，在La_1-xGaO₃:Ln_x发光薄膜表面形成金属层，然后将所述La_1-xGaO₃:Ln_x发光薄膜及金属层在真空环境下进行退火处理，使金属层形成金属微纳结构，其中Ln为Tm、Tb、Eu、Sm中的一种或两种，x的取值范围为0.001≤x≤0.10。

5.根据权利要求4所述的镓酸盐发光元件的制备方法，其特征在于，所述金属层由银、金、铝、铂、钯、铜或它们中两种或两种以上的合金制成。

6.根据权利要求4所述的镓酸盐发光元件的制备方法，其特征在于，所述金属层厚度为1～100nm。

7.根据权利要求4～6任一项所述的镓酸盐发光元件的制备方法，其特征在于，所述La_1-xGaO₃:Ln_x发光薄膜利用溶胶-凝胶法制成。

8.根据权利要求4～6任一项所述的镓酸盐发光元件的制备方法，其特征在于，所述金属层是将金属溅射或蒸镀到所述Y₂O₃:Eu发光薄膜表面形成的。

9.根据权利要求4～6任一项所述的镓酸盐发光元件的制备方法，其特征在于，所述退火处理为在真空度≤1×10^-3Pa的真空环境下于100～500℃退火15～180min，然后冷却至室温。

10.根据权利要求9所述的镓酸盐发光元件的制备方法，其特征在于，所述退火处理为在真空度≤1×10^-4Pa的真空环境下于200～400℃退火30～150min，然后冷却至室温。