[发明专利]具有高光萃取效率的圆台状发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.具有高光萃取效率的圆台状发光二极管，包括一衬底，在衬底上表面依次叠层布拉格反射层、第一型磊晶层、发光层、第二型磊晶层和窗口层，构成一层叠结构的晶片，其特征在于：晶片的外形为圆台状，在晶片的顶面连接一P电极，在晶片的底面连接一N电极。

2.具有高光萃取效率的圆台状发光二极管的制作方法，其制作步骤如下：

1)在衬底上依次外延生长布拉格反射层、第一型磊晶层、发光层、第二型磊晶层和窗口层构成一晶片；

2)在窗口层形成P电极；

3)在晶片的顶面形成第一光刻胶用于遮盖P电极，并通过光罩、蚀刻作业，使第一光刻胶呈圆形；

4)在第一光刻胶顶面依次形成保护层和第二光刻胶，并通过光罩、蚀刻作业，使保护层和第二光刻胶呈圆形且上下重叠；

5)通过干法蚀刻，对晶片进行非等向性刻蚀，使晶片呈圆台状；

6)在晶片中的衬底底面形成N电极；

7)去除残留的光刻胶和保护层，用钻石刀将晶片切穿即得发光二极管芯粒。

3.如权利要求2所述的具有高光萃取效率的圆台状发光二极管的制作方法，其特征在于：衬底材料选用GaAs、GaP或前述的任意组合之一。

4.如权利要求2所述的具有高光萃取效率的圆台状发光二极管的制作方法，其特征在于：P电极材料选自Au、BeAu、ZnAu或前述的任意组合之一。

5.如权利要求2所述的具有高光萃取效率的圆台状发光二极管的制作方法，其特征在于：N电极材料选自Au、GeAu、Ni或前述的任意组合之一。

6.如权利要求2所述的具有高光萃取效率的圆台状发光二极管的制作方法，其特征在于：第二光刻胶的图案面积小于第一光刻胶的图案面积。

7.如权利要求2所述的具有高光萃取效率的圆台状发光二极管的制作方法，其特征在于：保护层选自SiO₂、SiN_x、Ni、Cr或前述的任意组合之一。

8.如权利要求2所述的具有高光萃取效率的圆台状发光二极管的制作方法，其特征在于：干法蚀刻采用的蚀刻气体选自Ar、O₂、BCl₃、Cl₂、SiCl₄或前述的任意组合之一。