[发明专利]一种半导体传感器及制备方法

权利要求书

1.一种半导体传感器，其特征是由电极和位于电极之间的氧化锌纳米线并联集成。

2.权利要求1所述的半导体传感器的制备方法，其特征是首先在第一基片上生长出一层垂直于基片表面的氧化锌纳米线阵列，然后将氧化锌纳米线阵列转移到由能承受光刻胶烘烤温度的绝缘材料构成的第二基片的表面，并使纳米线平行于第二基片表面，在第二基片有纳米线的面上旋涂光刻胶后烘干，然后将掩膜板上电极图形置于涂胶表面垂直于有取向的纳米线的两端且可盖住纳米线端部部分的位置进行曝光、显影，然后通过物理方法在光刻形成的电极区域内沉积至少一种导电金属制成电极，再将残留在电极、纳米线和基片上的光刻胶以及在光刻胶上附着的被溅射金属从基片上剥离，再在电极上连接导线，得到所需的器件。

3.如权利要求1或2所述的半导体传感器制备方法，其特征是所用的第二基片为玻璃片，先将玻璃片洗净吹干后，将硅片产物面正对玻璃片，对玻璃片施加大于100Pa的正压力，并在此压力下使硅片摩擦滑过玻璃片表面，使氧化锌纳米线转移到玻璃表面，在得到光刻电极图形后，通过磁控溅射溅射方法在纳米线端部沉积金属形成电极。

4.如权利要求3所述的半导体传感器制备方法，其特征是在纳米线的一端溅射铝，在纳米线的另一端溅射钯，形成肖特基接触的传感器。

5.权利要求1所述的半导体传感器的制备方法，其特征是首先在基片表面用化学或物理方式生长出一层平行于基片表面的氧化锌纳米线阵列，再在基片表面涂光刻胶后将掩膜板上电极图形置于涂胶表面垂直于的纳米线阵列自由端且可盖住纳米线端部部分的位置进行曝光、显影，然后通过物理方法在光刻形成的电极图内沉积至少一种导电金属制成电极，再将残留在电极、纳米线和基片上的光刻胶以及在光刻胶上附着的被溅射金属从基片上剥离，在电极上连接导线，得到所需的器件。

6.如权利要求5所述的一种半导体传感器的制备方法，其特征是首先在由能承受光刻胶烘烤温度的绝缘材料的基片表面旋涂光刻胶，经光刻后形成一个区域，在这个区域内以物理方式形成一层氧化锌薄膜，再在氧化锌薄膜之上溅射一层金属阻挡层，然后通过用化学或物理方式在基片的氧化锌薄膜的侧壁上形成垂直于半导体薄膜侧壁的氧化锌纳米线阵列，然后在基片上第二次涂光刻胶，再在氧化锌纳米线阵列的自由端且可盖住部分纳米线的位置进行曝光、显影，以及沉积金属电极的作业，再将残留在电极、纳米线和基片上的光刻胶以及在光刻胶上附着的被溅射金属从基片上剥离，分别在金属阻挡层和电极上连接导线，得到所需要的器件。

7.如权利要求6所述的一种半导体传感器的制备方法，其特征是所用的基片材料为玻璃，在玻璃上第一次光刻形成的区域内以磁控溅射方式形成一层氧化锌薄膜，在氧化锌薄膜之上再溅射一层不与Zn(NO₃)₂和六次甲基四胺反应的金属铬阻挡层，将玻璃片放入浓度为0.1～10mmol/L等摩尔比的Zn(NO₃)₂和六次甲基四胺的混合培养液中，在60～100摄氏度反应，使氧化锌条形电极侧壁上垂直生长出氧化锌纳米线阵列，然后再在长有纳米线阵列的玻璃表面第二次旋涂光刻胶，再在光刻后的区域内溅射铝电极，形成欧姆接触的传感器。

8.如权利要求6所述的一种半导体传感器的制备方法，其特征是所用的基片材料为玻璃，在玻璃上第一次光刻形成的区域内以磁控溅射方式形成一层氧化锌薄膜，在氧化锌薄膜之上再溅射一层不与Zn(NO₃)₂和六次甲基四胺反应的金属阻挡层，将玻璃片放入浓度为0.1～10mmol/L等摩尔比的Zn(NO₃)₂和六次甲基四胺的混合培养液中，在60～100摄氏度反应，使氧化锌条形电极侧壁上垂直生长出氧化锌纳米线阵列，然后再在长有纳米线阵列的玻璃表面第二次旋涂光刻胶，再在光刻后的区域内溅射钯电极，形成肖特基接触的传感器。