[发明专利]柔性薄膜太阳电池集成组件及其制备方法无效
申请号: | 201010191156.4 | 申请日: | 2010-06-03 |
公开(公告)号: | CN102270683A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 陈亮;马宁华;叶晓军;张玮 | 申请(专利权)人: | 上海空间电源研究所 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人: | 金家山 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 薄膜 太阳电池 集成 组件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及新能源太阳电池技术领域,特别涉及一种柔性薄膜太阳电池集成组件及其制备方法。
背景技术
能源是一个国家能得以发展的动力,在化石能源日益趋于枯竭的时代,新型可替代能源的研究,将是能使国民经济持续发展的保障和显示国力的标志。
现有的太阳电池光电转化效率低,太阳电池组件存在体积大、质地硬的缺点,无法实现轻便可携的功效。并且不锈钢衬底的柔性太阳电池不能形成集成内联结构,聚脂膜衬底虽然能形成集成内联结构,但其制作工艺需要激光划线、丝网印刷,工艺复杂,难度大。
发明内容
为了克服上述现有技术存在的缺陷,本发明提供一种柔性薄膜太阳电池集成组件,柔性可卷曲,光电转化效率高,方便携带,适用范围广,本发明还提供柔性太阳电池集成组件的制备方法,工艺简单,容易实现。
为了实现上述目的,本发明的技术方案如下:
柔性薄膜太阳电池集成组件,包括柔性衬底、位于所述柔性衬底上多个独立的电池单元与电池单元表面的封装层。
所述柔性衬底选用柔性基材,如聚酯膜衬底、聚酰亚胺衬底等,这样使得太阳电池集成组件柔性绕度更高、可卷曲。
所述封装层采用柔性材料封装;
所述太阳电池单元由上而下依次为透明前电极层、薄膜硅层与背反电极层,所述透明前电极层外是ITO掩膜板。
所述多个独立的电池单元采用掩模板方法制备在所述柔性衬底上,各个独立的电池单元之间采用柔性线材电连接实现串并联,所述柔性线材埋藏于所述柔性封装层的封装材料中。
本发明还涉及上述柔性薄膜太阳电池组件的制备方法,具体通过以下步骤实现的:
(1)选用柔性衬底,并在所述柔性衬底上采用掩模板依次生长背电极、硅薄膜层、透明前电极,形成大量规则排列的尺寸统一的小太阳电池单元;
(2)上述各小太阳电池单元采用柔性线材串联或并联式电连接;
(3)封装,将所述柔性线材埋藏于柔性封装材料中;
进一步,所述连接各小太阳电池单元的柔性线材可以扁铜线、或交织裸,也可是其它能弯曲的柔性线材。
所述各个小太阳电池单元以串联、并联或串并联混合的方式连接,达到太阳电池阵的功率,为外界提供适用的电压。
本发明的有益效果是,
1、整个太阳电池集成组件制备在柔性衬底上,可提供合适的高电压与功率;
2、电池组件可卷曲,应用范围广泛,且方便携带;
3、电池制备工艺完全采用传统的非晶硅、微晶硅等制备工艺,简单快捷;
4、串并联工艺采用柔性线材实现电连接,工艺简单,避开了激光划线等复杂工艺。
附图说明
图1为本发明实施例聚酯膜衬底的太阳电池组件结构图。
图2为图1中小电池结构的示意图。
具体实施方式:
为了使本发明的创作特征、技术手段与达成目的易于明白理解,以下结合具体实施例进一步阐述本发明。
实施例:
参看图1,本发明柔性薄膜太阳电池集成组件,包括聚酯膜衬底1、通过掩模板制备在所述聚酯膜衬底1上的数个方形小电池2与小电池2表面的封装层(图中未标出),所述封装层采用柔性材料制成。
小电池2之间采用柔性线材3电连接,所述柔性线材3埋藏于所述封装层内。
参看图2,小电池2由ITO掩模板21、薄膜硅层22与背反层23构成,背反层23底下是柔性衬底24,所述ITO掩模板21与薄膜硅层22之间设置透明前电极,背反层23上设置背反电极。
其中,背反层23面积大于薄膜硅层22,背反层伸出一侧以方便互联;薄膜硅层22面积大于透明电极ITO 21,以防止透明前电极21与背反层23电极接触。
本发明还涉及柔性薄膜太阳电池集成组件的制备方法,以下分别以聚酯膜衬底与聚酰亚胺膜衬底详细描述该制备过程。
实施例一:选用厚度小于50um的聚酰亚胺膜作为柔性衬底,按下列工艺步骤:
(1)将聚酰亚胺膜裁剪成适当大小30cm×30cm(以适合腔室为准),清洗;
(2)将上述清洗后的聚酰亚胺膜采用夹具夹持,并盖上背电极掩模板,放入真空腔室生长背电极Ag/ZnO;
(3)将形成Ag/ZnO图案的膜片盖上硅薄膜掩模板放入PECVD腔室,生长非晶硅或微晶硅;
(4)将形成Ag/ZnO、硅薄膜的膜片盖上ITO掩模板(ITO的面积比硅薄膜的面积适当收缩),放入真空室,生长ITO,这样聚酰亚胺衬底上将形成大量规则小电池;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的