[发明专利]一种低功耗相变存储器及其写操作方法

权利要求书

1.一种相变存储器，包括相变存储单元阵列、列译码器、行译码器，写驱动模块、读电路模块，输入列地址至列译码器实现相变存储单元阵列的列选中，输入行地址至行译码器实现相变存储单元阵列的行选中；其特征在于，还包括锁存器、以及用于控制写驱动信号是否输入至列译码器的比较电路模块；读电路模块的读出的数据信号通过锁存器存储并输入至比较电路模块，写数据信号同时输入至写驱动模块和比较电路模块。

2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述比较电路模块包括异或门和NMOS管，所述写数据信号输入至异或门的第一端，所述锁存器输出信号至异或门的第二端，所述NMOS管串联置于写驱动模块和列译码器之间，异或门的输出端连接NMOS管的栅极。

3.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述比较电路模块包括同或门和PMOS管，所述写数据信号输入至同或门的第一端，所述锁存器输出信号至同或门的第二端，所述PMOS管串联置于写驱动模块和列译码器之间，异或门的输出端连接PMOS管的栅极。

4.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储器还包括用于输出行地址和列地址的地址锁存器。

5.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储器还包括用于控制行译码器、列译码器、写驱动模块、读电路模块、锁存器之间的时序关系的逻辑控制模块。

6.一种如权利要求1所述的相变存储器的写操作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)分别输入行地址、列地址至行译码器和列译码器；

(2)通过读电路模块读出当前地址选中的相变存储单元阵列的存储单元的数据；

(3)读电路模块读出的数据输出并存储至锁存器；

(4)要求写入的数据信号同时输入至比较电路模块和写驱动块；

(5)通过比较电路模块，判断要求写入的数据信号与锁存器的数据信号是否相同；如果判断为“是”，写驱动模块输出的写信号传输至列译码；如果判断为“否”，写驱动模块输出的写信号不传输至列译码。

7.根据权利要求6所述的写操作方法，其特征在于，步骤(5)中，所述比较电路模块包括NMOS管和异或门；如果要求写入的数据信号与锁存器的数据信号相同，则代表当前选中的地址的相变存储单元的数据与要求写入的数据相同，则判断为“是”，比较电路模块的异或门输出低电平，NMOS管导通；如果要求写入的数据信号与锁存器的数据信号不相同，则判断为“否”，比较电路模块的异或门输出低电平，NMOS管关断。

8.根据权利要求6所述的写操作方法，其特征在于，所述步骤(1)、步骤(2)、步骤(3)在写操作之前的读操作过程中完成。