[发明专利]一种基于PIN异质结构的短波长紫外发光材料的制备方法

权利要求书

1.一种基于PIN异质结构的短波长紫外发光材料的制备方法，其特征在于，该方法具体为：

1)通过丙酮、酒精及去离子水超声清洗去除p型衬底表面的有机物，然后导入超高真空制膜系统；

2)在超高真空下，升温至700～950℃进行高温热处理10～30min，以去除表面吸附的杂质，然后降温至400～800℃，进一步利用活性氮等离子体处理10～30min以获得清洁表面；

3)将衬底降温至250～0℃，沉积1～5nm厚金属单晶层，然后利用氧气或活性氧源对金属单晶层进行氧化处理5～20min，获得岩盐相氧化物单晶层；

4)在400～750℃下，在岩盐相单晶氧化层上继续沉积5～50nm氧化物绝缘层；

5)在400～700℃温度下，沉积300～1000nm n型外延层，即可得到高质量PIN异质结构。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中的p型衬底为p-GaN或者p-AlGaN。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述超高真空制膜系统为分子束外延系统。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤3)中金属单晶层为金属镁单晶层，利用活性氧源对金属镁单晶层在低于100℃下，进行氧化处理5～20min，以获得岩盐相MgO单晶层。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤3)中金属单晶层为金属钙单晶层，利用活性氧源对金属钙单晶层在低于100℃下，进行氧化处理5～20min，以获得岩盐相CaO单晶层。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤3)中金属单晶层为金属锶单晶层，利用通氧气或活性氧源对金属锶薄膜在低于100℃下，进行氧化处理5～20min，以获得岩盐相SrO单晶层。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤5)中的n型外延层为n-ZnO或者n-MgZnO。