[发明专利]一种硅铍石型钼基钨基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201010192027.7 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101823880A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 周迪;汪宏;姚熹;庞利霞;吴新光;郭靖;张高群 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622;H01B3/12 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅铍石型钼基钨基 超低温 烧结 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅铍石型钼基钨基超低温烧结微波介质陶瓷材料，其特征在于：该 陶瓷材料结构表达式为：Li2(Mo1-xWx)O4，式中0.0＜x＜1.0。
2.实现权利要求1所述的硅铍石型钼基钨基超低温烧结微波介质陶瓷材料 的制备方法，其特征在于，按以下步骤进行：
1)将化学原料MoO3、WO3和Li2CO3按配方通式Li2(Mo1-xWx)O4配制，式 中0.0＜x＜1.0；
2)将步骤1)配料混合，球磨5～8个小时，在100℃～200℃下烘干，过筛 200目后压制成块状体；
3)将步骤2)的块状体经500℃～800℃预烧，并保温4～6小时，得到样品 烧块；
4)将样品烧块粉碎，并经过5～6个小时的二次球磨，在100℃～200℃下烘 干、造粒，造粒后经60目与120目筛网双层过筛，得到瓷料粉末；
5)将瓷料粉末压制成型，在540℃～640℃下烧结2～4个小时成瓷，得到硅 铍石型钼基钨基超低温烧结微波介质陶瓷材料。
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