[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其包括：

一基底；

一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一侧，且所述第一半导体层靠近基底设置；

一第一电极与所述第一半导体层电连接；

一第二电极与所述第二半导体层电连接；

其特征在于，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式设置于第二半导体层的远离基底的表面，且所述三维纳米结构为阶梯状结构。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述三维纳米结构为设置在所述第二半导体层表面的阶梯状凸起结构或阶梯状凹陷结构。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述阶梯状凸起结构或阶梯状凹陷结构的尺度小于等于1000纳米。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述三维纳米结构为一多层阶梯状圆台结构。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述三维纳米结构包括一第一圆台以及一设置于该第一圆台表面的第二圆台，所述第一圆台靠近第二半导体层设置，所述第一圆台的底面直径大于第二圆台的底面直径，所述第一圆台的侧面垂直于第二半导体层的表面，所述第二圆台的侧面垂直于第一圆台的底面。

6.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述第一圆台与第二圆台同轴设置且形成一体结构。

7.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述三维纳米结构进一步包括一设置于第二圆台表面的第三圆台。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述多个三维纳米结构按照等间距行列式排布、同心圆环排布或六角形密堆排布的方式设置在第二半导体层表面。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述三维纳米结构与第二半导体层形成一体结构。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述相邻的两个三维纳米结构之间的距离为10纳米～1000纳米。

11.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式设置于第一半导体层与基底接触的表面。

12.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式设置于基底与第一半导体层接触的表面。

13.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述以阵列形式设置的多个三维纳米结构形成一个单一图案或多个图案。

14.一种发光二极管，其包括：

一基底；

一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一侧，且所述第一半导体层靠近基底设置；

一第一电极与所述第一半导体层电连接；

一第二电极与所述第二半导体层电连接；

其特征在于，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式设置于第一半导体层与基底接触的表面，且所述三维纳米结构为阶梯状结构。

15.一种发光二极管，其包括：

一基底；

一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一侧，且所述第一半导体层靠近基底设置；

一第一电极与所述第一半导体层电连接；

一第二电极与所述第二半导体层电连接；

其特征在于，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式设置于基底与第一半导体层接触的表面，且所述三维纳米结构为阶梯状结构。