[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，具备具有发光层的IIIA-VA族化合物半导体层，在所述IIIA-VA族化合物半导体层的第一主表面侧形成光取出面，在第二主表面侧形成金属反射膜，将来自所述发光层的光反射至所述光取出面侧，所述IIIA-VA族化合物半导体层与支撑衬底隔着所述金属反射膜而被接合，所述IIIA-VA族化合物半导体层的第一主表面上具有表面电极，所述金属反射膜的上述IIIA-VA族化合物半导体层侧的面的一部分上在所述表面电极的正下方以外的区域配置有欧姆接触接合部，

其特征在于，

在所述表面电极的所述IIIA-VA族化合物半导体层侧，形成有在IIIA-VA族化合物半导体层上形成的表面侧接触部以及透明介电体反射部，

所述半导体发光元件为边长320μm以下的四边形，

所述表面电极由多边形或圆形形成，所述表面电极的外周的长度为235μm以上、700μm以下，

所述欧姆接触接合部配置于所述半导体发光元件的外周部侧，从所述表面电极侧看所述欧姆接触接合部时，所述欧姆接触接合部以包围上述表面电极的方式而形成，且以从所述表面电极的外缘部的各位置至最近的所述欧姆接触接合部的距离相等的方式而配置。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，在所述IIIA-VA族化合物半导体层与所述金属反射膜之间设置有透明介电体膜，所述透明介电体膜的一部分中形成有所述欧姆接触接合部，所述欧姆接触接合部贯通所述透明介电体膜。

3.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于，形成所述表面电极的表面侧接触部以及透明介电体反射部中，所述表面侧接触部形成于外周5μm以上30μm以下的区域，在所述表面电极用接触部的内侧形成所述透明介电体反射部。

4.如权利要求1～3的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述透明介电体反射部由SiO₂、SiN、ITO的任意一种形成。

5.如权利要求1～4的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述透明介电体反射部的折射率为2.3以下。

6.如权利要求1～5的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，作为所述光取出面的上述IIIA-VA族化合物半导体层的表面为高度100nm以上的凹凸形状。

7.如权利要求1～6的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述欧姆接触接合部形成为与上述表面电极的多边形或圆形为相似形状的多边形或圆形的线状，且从上述表面电极侧看欧姆接触接合部时，配置为与上述表面电极同心。

8.如权利要求6或7所述的半导体发光元件，其特征在于，所述凹凸形状的光取出面覆盖有透明膜。