[发明专利]一种倒装芯片凸块结构及其制作工艺无效
| 申请号： | 201010192490.1 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102270617A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 江卢山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 芯片 结构 及其 制作 工艺 | ||
1.一种倒装芯片凸块结构，包括：
制作于芯片上的多个输入/输出端口；
凸块下金属层，完全覆盖所述输入/输出端口；
凸块，位于所述凸块下金属层之上，所述凸块为方形柱且其底端完全覆盖所述凸块下金属层。
2.如权利要求1所述的倒装芯片凸块结构，其特征在于，所述芯片输入/输出端口为铝压焊块。
3.如权利要求1所述的倒装芯片凸块结构，其特征在于，所述凸块下金属层包括Ti金属层和在Ti金属层之上的Cu金属层。
4.如权利要求1所述的倒装芯片凸块结构，其特征在于，所述凸块下金属层包括Cu金属层和在Cu金属层之上的Ni金属层。
5.如权利要求1所述的倒装芯片凸块结构，其特征在于，所述凸块的材质为锡银或锡铅或铜。
6.一种制造权利要求1所述的倒装芯片凸块结构的方法，包括如下步骤：
在具有输入/输出端口的芯片基底上形成凸块下金属层；
在所述凸块下金属层之上涂覆光刻胶；
对所述光刻胶进行曝光及显影，得到与所述芯片输入/输出端口位置相对应的电镀凹槽，所述电镀凹槽的底面宽度大于所述芯片输入/输出端口的宽度；
在所述电镀凹槽内电镀形成高度低于所述电镀凹槽高度的凸块；
去除剩余的所述光刻胶并将暴露在外的未被所述凸块覆盖的凸块下金属层去除。
7.如权利要求6所述的倒装芯片凸块结构制作工艺，其特征在于，所述芯片输入/输出端口为铝压焊块。
8.如权利要求6所述的倒装芯片凸块结构制作工艺，其特征在于，所述形成凸块下金属层的步骤包括：在所述芯片基底上先溅射一层Ti金属层，再在溅射的Ti金属层上溅射一层Cu金属层。
9.如权利要求6所述的倒装芯片凸块结构制作工艺，其特征在于，所述形成凸块下金属层的步骤包括：在所述芯片基底上先溅射一层Cu金属层，再在溅射的Cu金属层上溅射一层Ni金属层。
10.如权利要求6所述的倒装芯片凸块结构制作工艺，其特征在于，所述凸块的材质为锡银或锡铅或铜。
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