[发明专利]可控硅失效检测与保护方法及其装置

权利要求书

1.一种可控硅失效检测与保护方法，其特征在于，包括以下步骤：

中央处理器对可控硅的输出变化标记位进行检测；

所述中央处理器的模数转换口对所述可控硅进行检测；

所述模数转换口检测所述可控硅的电压；

中央处理器检测电源过零信号是否发生跳变；

当所述可控硅的电压在过零信号发生跳变后一直小于0.5V或者一直大于4.8V时，对所述可控硅做开路标记；

当所述可控硅的电压在过零信号发生跳变后一直处于2.5V至4.0V之间时，对所述可控硅做短路标记；

判断所述可控硅的状态是否与要求的工作状态相同；

若不相同，所述中央处理器对所述可控硅运行可控硅保护程序切断马达供电继电器RY1的供电，并显示异常；

若相同，则结束本次检测，继续下一次同样的检测循环。

2.根据权利要求1所述的可控硅失效检测与保护方法，其特征在于，当所述可控硅的电压在过零信号发生跳变后一直小于0.5V或者一直大于

4.8V时，对所述可控硅做开路标记；当所述可控硅的电压在过零信号发生跳变后一直处于2.5V至4.0V之间时，对所述可控硅做短路标记包括以下步骤：

在过零信号发生跳变后，所述中央处理器判断所述可控硅的电压是否一直小于0.5V；

若是，则对所述可控硅进行开路标记；

若否，则判断在过零信号发生跳变后所述可控硅的电压是否一直处于2.5V至4.0V之间；

若所述可控硅的电压一直处于2.5V至4.0V之间，则对所述可控硅做短路标记；

若在过零信号发生跳变后，所述可控硅的电压不处于2.5V至4.0V之间，则判断可控硅的电压是否大于4.8V；

若在过零信号发生跳变后，所述可控硅的电压一直大于4.8V，则对所述可控硅进行开路标记；

若否，则结束本次检测，继续下一次同样的检测循环。

3.根据权利要求2所述的可控硅失效检测与保护方法，其特征在于：在过零信号发生跳变后，所述可控硅的电压一直处于0.5V至2.5V之间以及一直处于4.0V至4.8V之间时，结束检测，电路失效，判为可控硅开短路故障。

4.根据权利要求3所述的可控硅失效检测与保护方法，其特征在于：所述可控硅的电压，为所述中央处理器的模数转换口与所述可控硅的节点处的电压。

5.根据权利要求1所述的可控硅失效检测与保护方法，其特征在于：还包括所述中央处理器过零检测脚检测所述可控硅正负半周高低电平跳变后，设置可控硅输出变化标记位＝1这一过程。

6.根据权利要求5所述的可控硅失效检测与保护方法，其特征在于，中央处理器对可控硅的输出变化标记位进行检测包括以下步骤：

所述中央处理器的过零检测脚检测所述可控硅输出变化标记位是否等于1；

若不等于1，则所述中央处理器的模数转换口不对所述可控硅进行检测；

若等于1，则进行延时计数。

7.根据权利要求6所述的可控硅失效检测与保护方法，其特征在于，若等于1，则进行延时计数还包括以下步骤：

判断延时是否大于500US；

若不大于500US，则重复设置可控硅输出变化标记位＝1这一步骤；

若大于500US，则将所述可控硅输出变化标记位清零，中央处理器的模数转换口对所述可控硅进行检测。

8.一种可控硅失效检测与保护装置，其特征在于：包括

中央处理器，包括过零检测脚与模数转换口；

过零检测电路，连接至所述中央处理器，反馈可控硅正负半周高低电平跳变至所述过零检测脚，以供所述中央处理器对可控硅的输出变化标记位进行标记与检测；

失效检测电路，连接至所述中央处理器，反馈所述可控硅的电压至所述数模转换口，在过零信号发生跳变后，所述中央处理器对所述可控硅的电压一直小于0.5V或者大于4.8V做开路标记，对所述可控硅的电压一直处于2.5V至4.0V之间做短路标记；

保护电路，连接至所述中央处理器，根据所述中央处理器的可控硅保护程序，对所述短路标记与所述开路标记的可控硅及负载做断电保护；

显示装置，显示所述可控硅的异常状态信息。