[发明专利]GaAs HBT超高速2分频器

权利要求书

1.一种GaAs HBT超高速2分频器，包括分频器核心部件和偏置电路，其特征在于：分频器核心部件采用GaAs HBT和CML结构，以提高工作频率及电路的稳定性；分频器核心部件的输入端连接有输入缓冲器，输出端连接有输出缓冲器，以提高驱动能力，实现电平转换和阻抗的匹配。

2.根据权利要求1所述的GaAs HBT超高速2分频器，其特征在于分频器核心部件与输入缓冲器和输出缓冲器之间，通过双端差分输入双端差分输出相连接。

3.根据权利要求1所述的GaAs HBT超高速2分频器，其特征在于偏置电路分别与分频器核心部件、输入缓冲器和输出缓冲器连接，为其提供偏置电压。

4.根据权利要求1所述的GaAs HBT超高速2分频器，其特征在于输入缓冲器(1)，包括9个GaAs异质结双极晶体管Q1₁～Q1₉，Q1₁与Q1₂构成差分电路，Q1₃与Q1₅构成第一射极跟随器，Q1₄与Q1₆构成第二射极跟随器；该第一射极跟随器与Q1₁的集电极连接，该第二射极跟随器与Q1₂的集电极连接；Q1₇～Q1₉分别与差分电路的发射极和第一、第二射极跟随器连接。

5.根据权利要求1所述的GaAs HBT超高速2分频器，其特征在于分频器核心部件(2)，采用由电流模逻辑电路CML构成的T-type触发器，该触发器采用主要由14个GaAs异质结双极晶体管Q2₁～Q2₁₄组成的主从结构，其中，由Q2₁～Q2₇构成主结构，由Q2₈～Q2₁₄构成从结构。

6.根据权利要求5所述的GaAs HBT超高速2分频器，其特征在于所述的主结构，包括由Q2₃与Q2₄和Q2₅与Q2₆组成的两个差分对，两个差分对分别与Q2₁和Q2₂连接，该Q2₁与Q2₂组成差分输入。

7.根据权利要求5所述的GaAs HBT超高速2分频器，其特征在于所述的从结构，包括由Q2₁₁与Q2₁₂和Q2₁₃与Q2₁₄组成的两个差分对，两个差分对分别与Q2₉和Q2₁₀连接，该Q2₉与Q2₁₀组成差分输入。

8.根据权利要求1所述的GaAs HBT超高速2分频器，其特征在于输出缓冲器(3)，包括7个GaAs异质结双极晶体管Q3₁～Q3₇，Q3₃与Q3₄构成差分电路，Q3₁和Q3₂分别与Q3₃和Q3₄连接，Q3₅～Q3₇分别与Q3₁、差分电路和Q3₂连接。

9.根据权利要求1所述的GaAs HBT超高速2分频器，其特征在于偏置电路(4)，包括4个GaAs异质结双极晶体管Q4₁～Q4₄，Q4₁和Q4₂分别与Q4₃和Q4₄连接，共同构成Bata-help电流镜结构。