[发明专利]一种薄膜磁阻传感器有效
| 申请号： | 201010193327.7 | 申请日： | 2010-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101871787A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王建国;薛松生 | 申请（专利权）人： | 王建国;薛松生 |
| 主分类号： | G01D5/14 | 分类号： | G01D5/14;G01R33/09 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 磁阻 传感器 | ||
1.一种薄膜磁阻传感器，其特征是，包括：
种子层；
参考层，位于种子层上，产生第一交换耦合场；
非磁性隔离层，位于参考层上，将参考层与自由层相隔离；
自由层，位于非磁性隔离层上，感应外磁场变化，并产生第二交换耦合场，所述第二交换耦合场与第一交换耦合场互相垂直。
2.根据权利要求1所述的薄膜磁阻传感器，其特征是：所述自由层上设置保护层。
3.根据权利要求1所述的薄膜磁阻传感器，其特征是：所述参考层包括第一非磁性钉扎层与第一磁性被钉扎层；所述第一非磁性钉扎层位于种子层上，第一磁性被钉扎层位于第一非磁性钉扎层上；所述第一非磁性钉扎层与第一磁性被钉扎层间产生第一交换耦合场。
4.根据权利要求1所述的薄膜磁阻传感器，其特征是：所述自由层包括第二磁性被钉扎层与第二非磁性钉扎层；所述第二磁性被钉扎层位于非磁性隔离层上，第二非磁性钉扎层位于第二磁性被钉扎层上；所述第二磁性被钉扎层与第二非磁性钉扎层间产生第二交换耦合场。
5.根据权利要求1所述的薄膜磁阻传感器，其特征是：所述非磁性隔离层的材料包括Cu、AlO、MgO、HFO、ZrO或TaO。
6.根据权利要求3或4所述的薄膜磁阻传感器，其特征是：所述第一非磁性钉扎层与第二非磁性钉扎层的材料包括MnIr或MnPt。
7.根据权利要求2所述的薄膜磁阻传感器，其特征是：所述保护层的材料包括Ta、Pt或Ti。
8.根据权利要求3或4所述的薄膜磁阻传感器，其特征是：所述第一磁性被钉扎层与第二磁性被钉扎层的材料包括CoFeB、CoFe、NiFe或CoFe、Ru与CoFe形成的复合层。
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