[发明专利]镀膜工艺中的图案形成方法及应用此方法的基板承载设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种镀膜工艺设备，特别涉及一种镀膜工艺中的图案形成方法及应用此方法的基板承载设备。

背景技术

镀膜技术被广泛的运用，其中镀膜技术可包含三种不同技术，分别为蒸镀(Evaporation)、分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，MBE)以及溅镀(Sputter)。其中溅镀可以同时达到极佳的沉积效率、大尺寸的沉积厚度控制、精确的成分控制及较低的制造成本。所以溅镀是现今为硅基半导体工业所唯一采用的方式。

以真空溅镀技术为例，真空溅镀技术是在高真空环境中散布钝气，如氩气，并在此高真空环境中设置具有高电位差的二金属板，其中这些金属板的其中之一作为一阴极(cathode)，另一金属板作为一为阳极(anode)。阴极装载的是一靶材(target)，阳极则装载一基板。当氩正离子受电场加速而轰击阴极的靶材表面，靶材表面原子受撞击后则飞向阳极的基板，并在基板的表面沉积而形成薄膜。

一般而言，真空溅镀工艺中所使用的多为连续式的溅镀设备。并且连续式溅镀设备多采用直列式(Vertical In-Line)的设计。这样的直列式的连续式溅镀设备是由多个溅镀反应腔体所组成。每一个溅镀反应腔体均为一中空结构，中空结构的内部可容纳一输送设备。这些溅镀反应腔体内均散布钝气。并且每一溅镀反应腔体内均两金属板备配置于此溅镀反应腔体内，并且分别作为一阳极以及一阴极。这些反应腔体彼此连接，并且每一个溅镀工艺是在腔体中进行。

基于上述的直列式的连续式溅镀设备，现有的真空溅镀工艺是由下述步骤所完成：先将基板放置一溅镀承载工具(Carrier)，再将承载工具借由一连续输送装置输入溅镀反应腔室内，接着在溅镀反应腔室内对基板实施溅镀加工，以在基板上形成一层溅镀层。若现有技术欲使被溅镀在基板上的溅镀层具有一特殊图形时，现有技术必须更进一步地对此溅镀层实施光罩显影蚀刻工艺，将多余的溅镀区域由基板上移除，以使被蚀刻后的溅镀层具有此特殊图形。然而，这种在溅镀层上形成特殊图样的现有技术存在着成本高以及加工时间长的问题。

发明内容

鉴于以上的问题，本发明的目的在于提供一种镀膜工艺中的图案形成方法及应用此方法的基板承载设备，借以解决现有技术所存在成本高以及加工时间长的问题。

本发明所揭露一实施例的基板承载设备，应用于一镀膜工艺，并且提供至少一基板组装。其基板承载设备包含一承载架、至少一遮罩以及至少一压合工具。其中，承载架具有至少一承载槽孔，并使基板装配于承载槽孔内。遮罩组配于承载架上且对应承载槽孔，此遮罩具有一平面图形部及一磁性结构部。压合工具以可移动的关系推抵基板与平面图形部相互接触，辅以磁性结构部吸附住压合工具，以使基板被夹持在遮罩及压合工具之间。

另外，根据本发明所揭露一实施例，遮罩的平面图形部包含图形轮廓，借由图形轮廓在基板上形成一具预定图样的镀膜层。

根据本发明所揭露一实施例，压合工具具有至少一金属材料制成的压合吸引部，而遮罩的磁性结构部又包含至少一磁性物以及至少一组配结构。磁性物用以吸附压合吸引部，并使磁性物经由组配结构而固定于承载槽孔内。借由压合吸引部与磁性结构部的磁性物吸引，可将基板牢牢被夹持于其中。

另外根据本发明所揭露一实施例，承载架还包括有多个承载槽孔，各承载槽孔间隔排列于承载架上。

根据本发明所揭露一实施例，压合工具还包含至少一缓冲垫。缓冲垫固定于压合工具外缘内侧的四周，且该缓冲垫以可压缩的关系接触于该基板，以此缓冲垫的结构设计，使基板在被实施压合时不致受损，并提供更好的压合效果。

根据本发明所揭露一实施例，压合工具还可以包含一被夹持结构。被夹持结构可以搭配夹持机构，借由夹持机构组配被夹持结构，以利夹持机构移动压合工具进行压合动作。

本发明还揭露一镀膜工艺中的图案形成方法。首先提供一基板承载设备，此基板承载设备具有至少一承载槽孔。接着，装配一遮罩对应于承载槽孔，此遮罩具有一平面图形部。然后，移动一基板置入承载槽孔内。之后，再提供一压合工具，以可移动的关系推抵基板与平面图形部相互接触，以使基板被夹持在遮罩及压合工具之间。最后，对基板承载设备执行一镀膜工艺，以在基板上形成一对应平面图形部的镀膜层，即可将基板镀膜出图形。

根据本发明所揭露一实施例，其中基板被夹持在遮罩及压合工具之间的步骤还包括：提供至少一磁性结构部，组设于承载槽孔内，且磁性结构部与平面图形部相互连接。以此磁性结构部吸附住压合工具，以令压合工具推抵基板贴紧于平面图形部。