[发明专利]晶振及其制作方法

权利要求书

1.一种晶振的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在半导体衬底表面形成层间介质层，所述层间介质层内形成有激励板、正极插塞以及负极插塞，所述正极插塞和负极插塞贯穿层间介质层厚度；

刻蚀位于正极插塞与负极插塞之间、激励板上方的层间介质层，形成凹槽，并在所述凹槽内填充形成第一牺牲层；

在层间介质层以及第一牺牲层的表面形成振动晶体，所述振动晶体横跨凹槽，所述振动晶体两侧分别与正极插塞以及负极插塞连接，所述振动晶体的另两侧暴露出第一牺牲层；

在所述振动晶体的表面形成第二牺牲层，所述第一牺牲层与第二牺牲层相连接；在所述第二牺牲介质层的表面形成隔离层；刻蚀所述隔离层形成通孔，所述通孔露出第二牺牲层表面；通过所述通孔去除第二牺牲层以及第一牺牲层；在所述隔离层的表面形成覆盖层，且所述覆盖层覆盖通孔。

2.如权利要求1所述的晶振制作方法，其特征在于，所述凹槽的底部与激励板之间通过部分层间介质层相间隔。

3.如权利要求1所述的晶振制作方法，其特征在于，所述凹槽的侧壁与正极插塞以及负极插塞之间均通过部分层间介质层相间隔。

4.如权利要求2或3所述的晶振制作方法，其特征在于，所述凹槽的槽深为0.5μm～4μm，槽宽为5μm～50μm。

5.如权利要求1所述的晶振制作方法，其特征在于，所述振动晶体的材质为锗化硅。

6.如权利要求5述的晶振制作方法，其特征在于，所述振动晶体的厚度为3μm～15μm。

7.如权利要求1所述的晶振制作方法，其特征在于，所述第二牺牲层的厚度为2μm～20μm。

8.如权利要求1所述的晶振制作方法，其特征在于，所述第一牺牲层以及第二牺牲层的材料均为活性碳。

9.如权利要求8所述的晶振制作方法，其特征在于，所述去除第一牺牲层以及第二牺牲层的方法包括：在高温下，向通孔内通入氧气，将所述活性碳氧化成气态的氧化物。

10.如权利要求9所述的晶振制作方法，其特征在于，所述高温氧化的温度为350℃～450℃。

11.一种晶振，其特征在于，包括：

半导体衬底；位于半导体衬底表面的层间介质层，所述层间介质层内形成有激励板以及位于所述激励板两侧的正极插塞、负极插塞；

位于正极插塞与负极插塞之间、激励板上方的下空腔；

位于层间介质层表面，横跨所述下空腔，并与正极插塞、负极插塞连接的振动晶体，所述振动晶体与其两侧的正极插塞以及负极插塞连接，除此之外，其余两侧为自由端，不与周围物体相接触；

位于层间介质层上的隔离层，所述隔离层与振动晶体之间具有间隙，构成上空腔；形成于所述隔离层表面的覆盖层。

12.如权利要求11所述的晶振，其特征在于，所述下空腔的底部与激励板之间通过部分层间介质层相间隔。

13.如权利要求11所述的晶振，其特征在于，所述下空腔的深度为0.5μm～4μm，宽度为5μm～50μm。

14.如权利要求11所述的晶振，其特征在于，所述振动晶体的材质为锗化硅。

15.如权利要求11所述的晶振，其特征在于，所述振动晶体厚度为3μm～15μm。

16.如权利要求10所述的晶振，其特征在于，所述隔离层与振动晶体的间隙为2μm～20μm。