[发明专利]一种InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池的制备方法无效
| 申请号： | 201010193582.1 | 申请日： | 2010-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101901854A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 吴志浩;宋明辉;陈长清;方妍妍;戴江南;余晨辉;熊晖 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ingap gaas ingaas 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池的制备方法，具体为：
(1)在Ge或GaAs衬底上外延生长AlxGa1-xAs作为牺牲层，0.4＜x≤1；
(2)在牺牲层上外延生长形成底部InGaP子电池；
(3)在底部InGaP子电池上外延生长形成中部GaAs子电池；
(4)在中部GaAs子电池上外延生长In组分渐变的InGaP或InGaAs应力过渡层，该应力过渡层与中部GaAs子电池的接触界面符合晶格匹配要求；
(5)在InGaP或InGaAs应力过渡层上外延生长形成应力完全弛豫的顶部InGaAs子电池，顶部InGaAs子电池与InGaP或InGaAs应力过渡层的接触界面符合晶格匹配要求；
(6)在顶部InGaAs子电池的表面形成欧姆电极；
(7)将InGaAs子电池粘接在具有散热性的轻质基板上；
(8)采用氢氟酸腐蚀掉牺牲层，Ge或GaAs衬底自然剥离得到InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池。
2.如权利要求1所述的InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述InGaP的In摩尔含量从50％提高到76％或InGaAs的In摩尔含量从0提高到30％。
3.如权利要求1所述的InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述基板是Si或铜片或玻璃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
