[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具有：第一铜合金布线，配置在第一层间绝缘膜内，在作为主要成分的Cu中添加有Al；

第二层间绝缘膜，形成在所述第一层间绝缘膜上；和

第二铜合金布线，配置在所述第二层间绝缘膜内，在作为主要成分的Cu中添加有Al，

所述第二铜合金布线的所述Al的浓度小于所述第一铜合金布线的所述Al的浓度。

2.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于：

所述第二铜合金布线的膜厚比所述第一铜合金布线的膜厚要厚。

3.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于：

所述第一层间绝缘膜以及所述第二层间绝缘膜的相对介电常数不同。

4.一种半导体装置，其特征在于，具有：

铜合金布线，配置在第一层间绝缘膜内，在作为主要成分的Cu中添加有Al；

第二层间绝缘膜，形成在所述第一层间绝缘膜上；

铜布线，配置在所述第二层间绝缘膜内，膜厚比所述铜合金布线厚，并且未添加Al。

5.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第一双嵌入式结构，设置在第一层间绝缘膜内，由第一布线与第一通道构成，在作为主要成分的Cu中添加Al而成；

第二层间绝缘膜，形成在所述第一层间绝缘膜上；

第二双嵌入式结构，设置在所述第二层间绝缘膜内，由膜厚比所述第一布线厚的第二布线和第二通道构成，所述第一布线的上部与所述第二通道的下表面连接，由未添加Al的铜布线来形成。

6.如权利要求5记载的半导体装置，其特征在于：

所述第二通道的直径比所述第一通道的直径大。

7.如权利要求5记载的半导体装置，其特征在于：

还具有第一势垒金属膜，在所述第二通道的底部与所述第一布线的上表面的连接部上与所述第一布线接触地形成，并且包含氮，

所述第一布线所含的所述Al的浓度为0.04wt％以下。

8.如权利要求7记载的半导体装置，其特征在于：

所述第一布线所含的所述Al的浓度为0.01wt％以上。

9.如权利要求7记载的半导体装置，其特征在于：

以与所述层间绝缘膜接触的方式，在所述第二双嵌入式结构与所述第二层间绝缘膜之间也形成所述第一势垒金属膜，

还具有第二势垒金属膜，该第二势垒金属膜以与所述第二双嵌入式结构接触的方式，形成在所述第二双嵌入式结构与所述第二层间绝缘膜之间，并且不含氮。

10.如权利要求3记载的半导体装置，其特征在于：

所述第一层间绝缘膜以及所述第二层间绝缘膜分别含有SiOC膜或者FSG膜的任意一种。

11.一种半导体装置，其特征在于，

具有：第一通道，形成在层间绝缘膜内，在作为主要成分的Cu中添加有Al；

第一铜合金布线，形成在所述层间绝缘膜内，与所述第一通道的底部电连接，在作为主要成分的Cu中添加有Al；

第一势垒金属膜，与所述层间绝缘膜接触地形成在所述层间绝缘膜和所述第一通道之间，并且含氮；和

第二势垒金属膜，与所述第一通道接触地形成在所述层间绝缘膜和所述第一通道之间，并且不含氮，

在所述第一铜合金布线与所述第一通道的连接部上不形成所述第一势垒金属膜，

在所述第一铜合金布线与所述第一通道的连接部上也形成所述第二势垒金属膜。

12.如权利要求11记载的半导体装置，其特征在于，

还具有：第二通道，形成在所述层间绝缘膜内，与所述第一铜合金布线的底部电连接，在作为主要成分的Cu中添加有Al；和

第二铜合金布线，形成在所述层间绝缘膜内，与所述第二通道的底部电连接，在作为主要成分的Cu中添加有Al，

在所述第二层间绝缘膜与所述第二通道之间，以与所述第二层间绝缘膜接触的方式，形成含有氮原子的第三势垒金属膜，

在所述第二层间绝缘膜与所述第二通道之间，以与所述第二通道接触的方式，形成不含氮原子的第四势垒金属膜，

在所述第二铜合金布线与所述第二通道的连接部上不形成第三势垒金属膜，

在所述第二铜合金布线与所述第二通道的连接部上也形成第四势垒金属膜。