[发明专利]气相沉积设备和气相沉积方法

权利要求书

1.一种气相沉积设备，包括：

真空罐；

排气部，进行所述真空罐中的真空排气；

气相沉积源，设置在所述真空罐中以蒸发沉积材料；以及

行进路径，允许狭长基板至少在与所述气相沉积源相对的区域中沿着相对于所述气相沉积源的凹形路径行进，所述沉积材料沉积在所述狭长基板上。

2.根据权利要求1所述的气相沉积设备，其中所述行进路径形成为具有封闭的曲线形状。

3.根据权利要求1所述的气相沉积设备，还包括在所述基板移出与所述气相沉积源相对的区域后的所述行进路径中的多个冷却辊，

其中所述基板的两面设置为可与所述多个冷却辊接触。

4.根据权利要求3所述的气相沉积设备，其中所述基板的顶面和背面设置为可与所述多个冷却辊交替接触。

5.根据权利要求1所述的气相沉积设备，其中多个引导辊设置于在所述沉积材料的散射方向上距所述气相沉积源的距离基本上相等的位置处，并且提供使所述基板以相对于所述气相沉积源的凹形图案行进的行进路径。

6.根据权利要求5所述的气相沉积设备，其中所述引导辊提供在偏离所述气相沉积源正上方的方向的位置处。

7.根据权利要求5所述的气相沉积设备，其中所述引导辊提供有覆盖构件。

8.根据权利要求1所述的气相沉积设备，还包括提供在所述基板的所述行进路径上、并可在与所述基板的顶表面交叉的方向上移动的辊。

9.根据权利要求1所述的气相沉积设备，还包括：

传感器，检测所述基板的边缘；和

移动机构，根据检测的所述边缘的位置，在基本上沿着所述基板的顶表面的方向上移动形成所述行进路径的至少一个辊。

10.根据权利要求1所述的气相沉积设备，还包括：

多个真空罐；

可开闭阀，使所述多个真空罐彼此连接；

气相沉积源，提供在所述真空罐的至少一个中；以及

移动机构，在所述多个真空罐之间移动所述行进路径。

11.一种气相沉积方法，包括：

基板保持步骤，至少在与气相沉积源相对的区域中，沿着相对于所述气相沉积源的凹形路径保持狭长基板；以及

气相沉积步骤，散射来自所述气相沉积源的沉积材料以在使所述基板沿着所述路径行进的同时在所述基板上进行气相沉积。

12.根据权利要求11所述的气相沉积方法，其中用于保持所述基板的所述路径设定为封闭曲线形状，并且

在所述基板保持步骤中，所述基板以莫比亚斯环形的封闭曲线形状保持在所述路径中。

13.根据权利要求11所述的气相沉积方法，其中在所述气相沉积步骤中，所述基板的行进速度设定为50米/分钟以上、200米/分钟以下。

14.根据权利要求11所述的气相沉积方法，其中在所述气相沉积步骤中，在所述基板上实施多次所述沉积材料的气相沉积，以层叠由所述沉积材料形成的层。