[发明专利]一种铝导线的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术，尤其涉及一种铝导线的形成方法。

背景技术

在集成电路(Integrated Circuit，IC)制造工艺中，后段金属化制程需要在晶片上制作形成金属导线。制程发展演进到0.13μm以下，后段金属化制程一般采用铜(Cu)工艺，但对于运行速度要求不高的IC，仍然可以采用铝(Al)工艺。

目前，Al工艺大部分采用硬膜(Hard Mask)介电层作为后续Al蚀刻的阻挡层，并且在Al蚀刻过程中，还需要使用侧壁保护能力强的特殊气体(如CHF₃)才能获得良好的Al导线形状。

在上述Al蚀刻过程中，反应室易产生颗粒，导致产品发生Al导线桥接的缺陷(如图1中的箭头所示)，影响了产品良率。

发明内容

本发明提供一种铝导线的形成方法，它能够避免反应室产生颗粒，提高产品良率。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种铝导线的形成方法，包括：

步骤(1)：在铝金属导线层的上方，设置光阻和硬膜介电层作为阻挡层；

步骤(2)：不使用特殊保护性气体，直接对所述铝金属导线层进行蚀刻，形成铝导线。

作为对上述技术方案的优化，所述铝导线的线宽小于或等于0.13μm。

本发明提供的铝导线的形成方法中，采用光阻和硬膜介电层作为后续铝蚀刻的阻挡层，蚀刻工艺不使用特殊保护性气体，同样可以得到良好的铝导线形状。并且本发明中，反应室无颗粒问题，避免了产品发生铝导线桥接的缺陷，提高了产品良率。

附图说明

图1为现有技术中产品上导线桥接情况的照片示意图；

图2为本发明蚀刻前产品的结构示意图；

图3为本发明蚀刻中产品的结构示意图；

图4为本发明最终得到的产品的结构示意图。

具体实施方式

为解决现有技术采用Al工艺的金属化制程中，Al蚀刻时反应室易产生颗粒，导致产品发生Al导线桥接的缺陷，影响了产品良率的问题，本发明提供一种铝导线的形成方法。下面结合附图对本发明作详细说明。

如图2～图4所示，本发明的铝导线的形成方法，包括：

步骤(1)：在Al金属导线层2的上方，设置光阻4和硬膜介电层3作为阻挡层；

本步骤中，如图2所示，Al金属导线层2位于衬底1的上方。设置阻挡层时，可以将硬膜介电层3设置在Al金属导线层2的上方，光阻4依次设置在硬膜介电层3的上方。

步骤(2)：不使用特殊保护性气体，直接对Al金属导线层2进行蚀刻，形成铝导线。

本步骤中的蚀刻采用本领域常用的无需保护性气体的蚀刻方式即可，具体蚀刻方式此处不再赘述。

本发明的铝导线的形成方法中，采用光阻4和硬膜介电层3作为后续Al蚀刻的阻挡层，蚀刻工艺不使用特殊保护性气体，同样可以得到良好的Al导线形状。并且本发明中，反应室无颗粒问题，避免了产品发生Al导线桥接的缺陷，提高了产品良率。

本发明的方法特别适用小线宽的情况，即形成的Al导线的线宽小于或等于0.13μm的情况。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明的实施范围；如果不脱离本发明的精神和范围，对本发明进行修改或者等同替换，均应涵盖在本发明权利要求的保护范围当中。