[发明专利]一种制造高压NMOS管的方法无效
| 申请号： | 201010194522.1 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102270580A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈国安;王向春;彭钦宏;李克寰;李明灿 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 215025 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制造 高压 nmos 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造高压NMOS管的方法，至少包括以下步骤：
提供衬底；
在所述衬底上形成高压P阱；
在所述高压P阱上形成高压NMOS结构；
其特征在于，在形成高压NMOS结构时，减小所述高压NMOS结构的漏极和源极附近的高压NMOS漂移区植入的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成高压NMOS结构时，所述高压NMOS漂移区植入的是N型离子，减小后的掺杂浓度为6.6E-12(+/-10％)离子数/平方厘米。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述N型离子为磷或砷。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对于具有轻掺杂漏区的高压NMOS管，减小轻掺杂漏区的植入浓度。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述轻掺杂漏区的植入浓度减小为：6.6E-12(+/-10％)离子数/平方厘米。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，对于高压NMOS管，不设置轻掺杂漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
