[发明专利]外加氧化锑的锆钛酸铅压电陶瓷无效
申请号: | 201010194558.X | 申请日: | 2010-06-08 |
公开(公告)号: | CN101870583A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 孙清池;王晓娜;马卫兵;孙秋香 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C04B35/491 | 分类号: | C04B35/491 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 曹玉平 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 外加 氧化 锆钛酸铅 压电 陶瓷 | ||
1.一种外加氧化锑的锆钛酸铅压电陶瓷,其原料组分及其摩尔百分比含量为Pb(ZrxTiy)O3+zwt%Sb2O3,式中0.50≤x≤0.53,y=1-x,0.9≤z≤2.1,z表示外加的Sb2O3占原料总量的摩尔百分比。
2.根据权利要求1的外加氧化锑的锆钛酸铅压电陶瓷,其特征在于,其优选的原料组分及其摩尔百分比含量为Pb(ZrxTiy)O3+zwt%Sb2O3,式中0.51≤x≤0.52,y=1-x,1.0≤z≤1.3,z表示外加的Sb2O3占原料总量的摩尔百分比。
3.根据权利要求1的外加氧化锑的锆钛酸铅压电陶瓷,其特征在于,其最佳的原料组分及其摩尔百分比含量为Pb(ZrxTiy)O3+zwt%Sb2O3,式中x为0.52,y为0.48,z为1.2,z表示外加的Sb2O3占原料总量的摩尔百分比。
4.根据权利要求1或2或3的外加氧化锑的锆钛酸铅压电陶瓷,其特征在于,所述压电陶瓷是单一钙钛矿结构。
5.根据权利要求1或2或3的外加氧化锑的锆钛酸铅压电陶瓷,其特征在于,所述原料为Pb3O4,ZrO2,TiO2和Sb2O3。
6.根据权利要求1或2或3的外加氧化锑的锆钛酸铅压电陶瓷,其特征在于,所述压电陶瓷于1150~1260℃烧结。
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