[发明专利]一种具有缓和坡度的牺牲层结构的制备方法

权利要求书

1.一种具有缓和坡度的牺牲层结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①在带有驱动电路(20)的衬底(10)上制备一层厚度均匀的牺牲层(30)，驱动电路(20)预留有与顶层电极连接的电路接口(21)；

②对经步骤①得到的衬底(10)进行烘烤，使表面液态化的牺牲层(30)中的水汽及部分溶剂挥发；

③对烘烤后的牺牲层(30)进行曝光操作：采用不同掩膜图形尺寸的光掩膜板进行多次曝光，每次曝光都需要将衬底图形与掩膜版图形对准，被曝光区域与电路接口(21)相对应并且面积每次都不相同；

④将经步骤③曝光完成的衬底(10)进行烘烤，然后进行显影操作，将牺牲层(30)被曝光的部分除去，与电路接口(21)对应的区域由于曝光量的差异，显影速度不同，显影完成后牺牲层(30)与电路接口(21)对应的区域边缘呈现出缓和的坡度并将电路接口(21)暴露出来；

⑤将步骤④得到的衬底(10)进行亚胺化操作，然后进行后续功能薄膜(60)的制备，功能薄膜(60)覆盖在牺牲层(30)的表面，同样呈现出缓和的坡度。

2.根据权利要求1所述的具有缓和坡度的牺牲层结构的制备方法，其特征在于，在步骤③中，曝光的次数应大于或者等于2次。

3.根据权利要求1或2所述的具有缓和坡度的牺牲层结构的制备方法，其特征在于，在步骤③中，设定光掩膜板(42)的图形尺寸为正常大小，光掩膜板(41)的线条尺寸偏大，光掩膜板(43)的线条尺寸偏小，用光掩膜板(41)与衬底(10)图形进行对位，然后执行曝光操作，由于光掩膜板(41)的图形尺寸比正常尺寸偏大，被曝光的牺牲层面积偏小，衬底(10)不动，依次更换光掩膜板(42)、光掩膜板(43)进行对位曝光操作，在衬底(10)上曝光出与电路接口(21)中心对应的区域曝光量大，邻接周边曝光量小的曝光区域。

4.根据权利要求1所述的具有缓和坡度的牺牲层结构的制备方法，其特征在于，所述牺牲层(30)材料为光敏聚酰亚胺，厚度为1～5μm。