[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：第1导电型第1硅柱、包围该第1导电型第1硅柱的侧面的第1绝缘体及包围该第1绝缘体的栅极；

在所述第1硅柱的下部具备有第2硅柱，而在所述第1硅柱的上部具备有第3硅柱；

并且，半导体器件由以下区域所构成：

第2导电型高浓度杂质区域，形成在除所述第2硅柱的与第1硅柱的接触面以外的面；

第1导电型杂质区域，由形成于所述第2硅柱的第2导电型高浓度杂质区域所包围；

第2导电型高浓度杂质区域，形成在除所述第3硅柱的与第1硅柱的接触面以外的面；以及

第1导电型杂质区域，由形成于所述第3硅柱的第2导电型高浓度杂质区域所包围；

而形成于所述第2硅柱的第1导电型杂质区域的长度较从形成于所述第2硅柱的底部的第2导电型高浓度杂质区域延伸的耗尽区还短；

而形成于所述第3硅柱的第1导电型杂质区域的长度较从形成于第3硅柱的底部的第2导电型高浓度杂质区域延伸的耗尽区还长。

2.一种半导体器件，其特征在于，具备：第1导电型第1硅柱、包围该第1导电型第1硅柱的侧面的第1绝缘体及包围该第1绝缘体的栅极；

在所述第1硅柱的下部具备有第2硅柱，在所述第1硅柱的上部具备有第3硅柱；

并且，半导体器件由以下区域所构成：

第2导电型高浓度杂质区域，形成在除所述第2硅柱的与第1硅柱的接触面以外的面；

第1导电型杂质区域，由形成于所述第2硅柱的第2导电型高浓度杂质区域所包围；

第2导电型高浓度杂质区域，形成在除所述第3硅柱的与第1硅柱的接触面以外的面；以及

第1导电型杂质区域，由形成于所述第3硅柱的第2导电型高浓度杂质区域所包围；

而形成于所述第2硅柱的第1导电型杂质区域的长度与形成于所述第3硅柱的第1导电型杂质区域的长度相当短，用以形成形成于所述第2硅柱的第2导电型高浓度杂质区域与形成于所述第3硅柱的第2导电型高浓度杂质区域。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，形成于所述第2硅柱的属于漏极的第1导电型杂质区域的长度Ld及直径Td、与形成于第3硅柱的属于源极的第1导电型杂质区域的长度Ls及直径Ts为以下2个关系式

数式1

Ls>Ts4]]>

数式2

Ld>Td4]]>

。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，构成于硅衬底上的2个权利要求2所述的半导体器件间的长度Tspace及栅极长度Lg、形成于第2硅柱的属于漏极的第2导电型高浓度杂质区域的宽度Ljd、形成于第3硅柱的属于源极的第2导电型高浓度杂质区域的宽度Ljs、形成于所述第2硅柱的第1导电型杂质区域的长度Ld、以及形成于第3硅柱的第1导电型杂质区域的长度Ls为以下的关系式

数式3

tan(π36)·Tspace-(Lg+Ljs+Ljd)>Ls+Ld]]>

。