[发明专利]一种去除多晶硅碳头料中碳的方法

权利要求书

1.一种去除多晶硅碳头料中碳的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)碳头料破碎后分类：

将破碎后的碳头料分为三类：第一类物料为不含碳的硅块，第二类物料为表面有不厚于1cm碳层的硅块，第三类物料为夹有碳层或其表面碳厚度超过1cm的硅块；

(2)分类处理：

(a)第一类物料无需清洗处理；

(b)第二类物料先放入碳硅分离液清洗，后经水洗、吹扫、酸洗、再次水洗及烘干处理；

所述碳硅分离液为浓硫酸、浓硝酸和高锰酸钾的混合溶液，其重量比为：浓硫酸20份，浓硝酸1～10份，高锰酸钾0.1～0.5份，清洗时间为2～8小时；

(c)第三类物料的处理流程同第二类物料，不同之处在于，所述的的碳硅分离液为浓硫酸和高锰酸钾的混合溶液，其重量比为：浓硫酸20份，高锰酸钾0.1～0.3份，清洗时间8～24小时。

2.根据权利要求1所述的去除多晶硅碳头料中碳的方法，其特征在于，所述水洗的过程为先喷淋快排、纯水溢流快排、最后纯水喷淋快排。

3.根据权利要求1所述的去除多晶硅碳头料中碳的方法，其特征在于，所述吹扫所用气体为无油压缩空气或氮气，时间为1～10分钟。

4.根据权利要求1所述的去除多晶硅碳头料中碳的方法，其特征在于，所述酸洗用的酸液为浓硝酸和浓氢氟酸的混酸，其重量比为10∶1～4∶1，酸洗时间为60～600秒。

5.根据权利要求1所述的去除多晶硅碳头料中碳的方法，其特征在于，所述烘干的过程为在80～150℃下氮气保护烘干1～2小时。

6.根据权利要求1所述的去除多晶硅碳头料中碳的方法，其特征在于，所述浓硫酸的重量百分比浓度为98％以上的分析纯或优级纯试剂，浓硝酸为浓度在68％以上的分析纯或优级纯试剂，高锰酸钾为分析纯粉末状试剂。

7.根据权利要求1所述的去除多晶硅碳头料中碳的方法，其特征在于，所述物料是通过酸洗槽加入特定碳硅分离液的全自动多晶硅酸洗设备实现的，但也可以依照上述步骤手工清洗。