[发明专利]一种具有微通道结构的TFT基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201010195978.X | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101866954A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 刘萍 | 申请（专利权）人： | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/26;H01L21/336;H01L21/205 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518057 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 通道 结构 tft 及其 制备 方法 | ||
1.一种微通道结构的TFT基板，包括玻璃基板(1)，其特征是：还包括非晶硅薄膜(2)和位于非晶硅薄膜(2)上下的两层MgO薄膜(3)，其中一层MgO薄膜(3)附着于玻璃基板(1)上。
2.如权利要求1所述的微通道结构的TFT基板，其特征在于：所述非晶硅薄膜的厚度为0.1-0.2μm，所述MgO膜的厚度为0.1-0.2μm。
3.一种微通道结构的TFT基板的制备方法，其特征是包括如下步骤：
A、下层MgO薄膜的沉积：将玻璃基板放入Sputter设备的基板座上，对系统抽真空，对玻璃基板进行加热，然后开启射频电源，进行MgO薄膜的均匀生长，直到达到所需的厚度为止；
B、中间层非晶硅薄膜的沉积：将步骤A得到的基板放入PECVD的基板座上，对系统抽真空，对玻璃基板进行加热，将反应气体材料硅烷通过气体接入装置送入PECVD反应腔体内，根据非晶硅薄膜厚度的要求，调节气体的流量至所需的值，然后开启反应室电源使气体在反应腔体中产生辉光放电，使非晶硅薄膜就在玻璃基板上均匀的生长到所需的厚度；
C、上层MgO薄膜沉积：将步骤B得到的基板放入Sputter设备的基板座上，对系统抽真空，对玻璃基板进行加热，然后开启射频电源，调节好工艺参数，进行MgO薄膜的均匀生长，直到达到所需的厚度为止。
4.如权利要求3所述的微通道结构的TFT基板，其特征在于：在步骤A和C中，玻璃基板的温度为270-330℃左右，在步骤B中玻璃基板的温度为180-220℃。
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