[发明专利]彩色滤光片低温镀ITO透明导电膜的生产方法无效
申请号: | 201010196056.0 | 申请日: | 2010-06-09 |
公开(公告)号: | CN101880131A | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
发明(设计)人: | 胡安春;吴勇;温景成;吴永光;董坚 | 申请(专利权)人: | 深圳市力合薄膜科技有限公司 |
主分类号: | C03C17/23 | 分类号: | C03C17/23 |
代理公司: | 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 | 代理人: | 吕晓蕾 |
地址: | 518106 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩色 滤光 低温 ito 透明 导电 生产 方法 | ||
技术领域:
本发明涉及一种彩色滤光片低温镀ITO透明导电膜的生产方法,它属于滤光片的镀膜技术领域。
背景技术:
彩色滤光片,广泛应用于手机、数码相机、数码摄像机、PDA、MP4、车载显示屏、工业控制面板等。随着此类消费电子产品的市场需求不断增长,彩色滤光片拥有广阔的市场前景,彩色滤光片的发展拥有良好的市场空间。彩色滤光片生产技术,涵盖光刻技术、清洗技术、膜厚控制技术、段差控制技术、线宽控制技术、总间距控制技术、图形对位精度控制、表面质量控制技术等,而彩色滤光片低温镀ITO即氧化铟锡导电膜是彩色滤光片生产的关键技术,目前其生产工艺技术存在如下的问题:容易产生颜色异常、针孔超标、打弧、膜层均匀性差的缺陷,导致彩色滤光片显示颜色异常、短路、开路等等不良,合格率偏低,严重影响彩色滤光片产品的质量。
发明内容:
本发明的目的在于提供一种可以保证生产出的彩色滤光片颜色正常,产品合格率高的彩色滤光片低温镀ITO透明导电膜的生产方法。
本发明的目的是这样实现的:
一种彩色滤光片低温镀ITO透明导电膜的生产方法,它包括如下的工艺步骤:
A:先按照常规技术进行超声波清洗基片,再进行平板清洗、热烘干燥;
B:将上述处理的基片上架装片进行镀膜,先镀SiO2,镀膜采用力合薄膜科技立式全自动连续磁控溅射镀膜机,基片加热温度为210℃~250℃,镀膜室传动速度频率为7.0Hz~13.0Hz,在4号室使用2个多晶硅靶进行镀SiO2膜,其工艺条件是:O2流量为35Sccm、Ar流量200~220Sccm、真空度3.0×10-1Pa~4.5×10-1Pa之间,总气压为0.40~0.45Pa;
C:再镀ITO膜:使用6个ITO靶镀ITO膜,工艺条件是:镀膜室Ar流量为200~220Sccm、镀膜室真空度4.0*10-1Pa~4.5*10-1Pa之间。
所述的彩色滤光片低温镀ITO透明导电膜的生产方法,它包括如下的具体工艺步骤:
A:先按照常规技术进行超声波清洗基片,再进行平板清洗、热烘干燥;
B:将上述处理的基片上架装片进行镀膜,先镀SiO2,镀膜采用力合薄膜科技立式全自动连续磁控溅射镀膜机,基片加热温度为250℃,镀膜室传动速度频率为11.0Hz,在4号室使用2个多晶硅靶进行镀SiO2膜,其工艺条件是:O2流量为35Sccm、Ar流量200~220Sccm、真空度3.0×10-1Pa~4.5×10-1Pa之间,总气压为0.40~0.45Pa;
C:再镀ITO膜:使用6个ITO靶镀ITO膜,工艺条件是:镀膜室Ar流量为200~220Sccm、镀膜室真空度4.0*10-1Pa~4.5*10-1Pa之间。
所述的彩色滤光片低温镀ITO透明导电膜的生产方法,其特征在于它包括如下的具体工艺步骤:
A:先按照常规技术进行超声波清洗基片,再进行平板清洗、热烘干燥;
B:将上述处理的基片上架装片进行镀膜,先镀SiO2,镀膜采用力合薄膜科技立式全自动连续磁控溅射镀膜机,基片加热温度为230℃,镀膜室传动速度频率为9.0Hz,在4号室使用2个多晶硅靶进行镀SiO2膜,其工艺条件是:O2流量为35Sccm、Ar流量200~220Sccm、真空度3.0×10-1Pa~4.5×10-1Pa之间,总气压为0.40~0.45Pa;
C:再镀ITO膜:使用6个ITO靶镀ITO膜,工艺条件是:镀膜室Ar流量为200~220Sccm、镀膜室真空度4.0*10-1Pa~4.5*10-1Pa之间。
所述的彩色滤光片低温镀ITO透明导电膜的生产方法,它包括如下的具体工艺步骤:
A:先按照常规技术进行超声波清洗基片,再进行平板清洗、热烘干燥;
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