[发明专利]基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池

权利要求书

1.一种基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池，包括：

一下电极；

一N型材料层，该N型材料层制作在下电极上；

一第一TCO薄膜层，该第一TCO薄膜层制作在N型材料层上；

一第二TCO薄膜层，该第二TCO薄膜层键合在第一TCO薄膜层上；

一P型材料层，该P型材料层制作在第二TCO薄膜层上；

一上图形电极，该上图形电极制作在P型材料层上。

2.根据权利要求1所述的基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池，其中N型材料层和P型材料层为厚度不同的同种材料，或是带隙合理组合的异种材料。

3.根据权利要求1或2所述的基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池，其中N型材料层和P型材料层为单晶、多晶或非晶。

4.根据权利要求1所述的基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池，其中第一、第二TCO薄膜层是宽带隙透明导电材料。

5.根据权利要求1或4所述的基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池，其中第一、第二TCO薄膜层的材料为SnO₂、In₂O₃或ITO。