[发明专利]异质掩埋激光器的制作方法

权利要求书

1.一种异质掩埋激光器的制作方法，包括如下步骤：

步骤1：在衬底上生长有源层，作为激光器件的发射区；

步骤2：在有源层的表面生长SiO₂层，在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用；

步骤3：光刻，在SiO₂层表面的两侧，将SiO₂层和有源层刻蚀掉，使中间形成微米级脊型台面，光刻后的有源层成为激光器件的发射区；

步骤4：用MOCVD技术，在脊型台面的两侧依次生长本征InP层、反向P-InP结电流限制层和N-InP结电流限制层，使脊型台面上形成沟道；

步骤5：去掉脊型台面表面上的SiO₂层；

步骤6：用MOCVD技术，在沟道内、去掉SiO₂层的脊型台面上及N-InP结电流限制层的表面生长P-InP电流注入层，完成器件的制作。

2.根据权利要求1所述的异质掩埋激光器的制作方法，其中步骤2所述的在有源层表面生长SiO₂层是采用PECVD设备生长，SiO₂层的厚度为90-110nm。

3.根据权利要求1所述的异质掩埋激光器的制作方法，其中步骤3所述刻蚀出的脊型台面的宽度为1.5um-2.0um；脊型台面的刻蚀深度到达衬底内，距离为1um以内。

4.根据权利要求1所述的异质掩埋激光器的制作方法，其中步骤3光刻中还包括一腐蚀的步骤，其是采用饱和嗅水零度腐蚀15s。

5.根据权利要求1所述的异质掩埋激光器的制作方法，其中步骤4所述的本征InP层的厚度为0.8um-1.0um；P-InP层50的厚度为0.8um-1.0um；N-InP层60的厚度为0.8um-1.0um。

6.根据权利要求1所述的异质掩埋激光器的制作方法，其中步骤6中的P-InP电流注入层的厚度为2-3um。