[发明专利]聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法无效
| 申请号： | 201010196156.3 | 申请日： | 2010-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101882756A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 王宝军;朱洪亮;赵玲娟;王圩;潘教青;梁松;边静;安心;王伟;周代兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚酰亚胺 填埋双沟脊型 器件 沟道 制作方法 | ||
1.一种聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法，包括如下步骤：
步骤1：在衬底的表面依次生长有源层和限制层，作为器件的基本结构；
步骤2：在限制层的表面制作光刻图形；
步骤3：光刻，在限制层的表面刻蚀出双沟脊型结构，刻蚀深度到达有源层的表面；
步骤4：在双沟脊型结构内及限制层的表面涂聚酰亚胺介质层，预固化；
步骤5：在聚酰亚胺介质层的表面涂光刻胶，烘干；
步骤6：曝光，显影去掉双沟脊型结构上的及限制层表面的聚酰亚胺介质层，固化，完成器件的制作。
2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法，其中步骤4所述的聚酰亚胺介质层是采用ZKPI-305II型聚酰亚胺。
3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法，其中步骤4所述的预固化的时间为20-40分钟，使用台式电热干燥箱，固化的温度为110-120℃。
4.根据权利要求1所述的聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法，其中步骤5所述的涂光刻胶的型号为S9912正性光刻胶。
5.根据权利要求1所述的聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法，其中步骤5所述的烘干的温度为90-100℃，烘干的时间为15-20分钟，使用台式电热干燥箱。
6.根据权利要求1所述的聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法，其中步骤6所述的固化是在通入N2的高温炉内进行，其固化温度及时间为阶梯式，先150℃/60分钟，再180℃/30分钟，最后250℃/60分钟，使聚酰亚胺固化完全。
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