[发明专利]碳化硅单晶的制造装置

权利要求书

1.一种碳化硅单晶的制造装置，其具备：

反应容器(10)、

配置在反应容器(10)内、且由碳化硅单晶基板构成的晶种(5)、

对原料气体(3)进行加热的加热容器(9)；

晶种(5)被配置在反应容器(10)的上方；

碳化硅的原料气体(3)从反应容器(10)的下方供给，到达晶种(5)，在晶种(5)的表面使碳化硅单晶(6)生长；

加热容器(9)相对于反应容器(10)被配置在所述原料气体(3)的流动路径上游侧；

加热容器(9)具备：中空筒状部件(9c)、原料气体入口(9a)、原料气体供给喷嘴(9b)和多个挡板(9d～9i)；

原料气体入口(9a)向中空筒状部件(9c)内导入所述原料气体(3)；

原料气体供给喷嘴(9b)从所述中空筒状部件(9c)向所述反应容器(10)中排出原料气体(3)；

多个挡板(9d～9i)在从原料气体入口(9a)到原料气体供给喷嘴(9b)之间被配置在原料气体(3)的流动路径上。

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造装置，其中，

加热容器(9)具有用f定义的原料气体(3)的平均流路长度；

平均流路长度是加热容器(9)内的原料气体(3)的流动路径的平均长度；

平均流路长度与用H定义的从原料气体入口(9a)连结到原料气体供给喷嘴(9b)的直线距离具有f＞1.2H的关系。

3.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造装置，其中，

多个挡板(9d～9f)与中空筒状部件(9c)的中心轴交叉，以该中心轴作为排列方向多段排列地配置；

多个挡板(9d～9f)具有位于最靠近原料气体入口(9a)侧的最下方的挡板(9d)；

最下方的挡板(9d)在从上方看加热容器(9)时覆盖原料气体入口(9a)。

4.根据权利要求3所述的碳化硅单晶的制造装置，其中，

多个挡板(9d～9f)具有位于最靠近原料气体供给喷嘴(9b)侧的最上方的挡板(9f)；

最上方的挡板(9f)在从下方看加热容器(9)时覆盖原料气体供给喷嘴(9b)。

5.根据权利要求4所述的碳化硅单晶的制造装置，其中，

多个挡板(9d～9f)具有配置于最下方的挡板(9d)与最上方的挡板(9f)之间的中间挡板(9e)；

中间挡板(9e)具有圆形状挡板(9e)和环状挡板；

圆形状挡板(9e)与最下方的挡板(9d)相邻；

环状挡板与圆形状挡板(9e)相邻；

环状挡板具有开口部；

圆形状挡板及环状挡板重复交替地配置；

圆形状挡板的半径大于位于其下方的环状挡板的开口部的半径。

6.根据权利要求3～5中任一项所述的碳化硅单晶的制造装置，其中，

位于上方的挡板彼此间的间隔为位于下方的挡板彼此间的间隔以上。

7.根据权利要求3～5中任一项所述的碳化硅单晶的制造装置，其中，

还具备多个子挡板(9g～9i)；

多个子挡板(9g～9i)被配置在多段排列地配置的挡板(9d～9f)彼此之间及/或中空筒状部件(9c)的底部与最下方的挡板(9d)之间；

各子挡板(9g～9i)与多段排列地配置的挡板(9d～9f)交叉；

各子挡板(9g～9i)在也与中空筒状部件(9c)的中心轴的径向交叉的方向上延伸地设置。

8.根据权利要求7所述的碳化硅单晶的制造装置，其中，

各子挡板(9g～9i)为以中空筒状部件(9c)的中心轴为中心的筒状；

各子挡板(9g～9i)将多段排列地配置的挡板(9d～9f)彼此之间及/或所述中空筒状部件(9c)的底部与所述最下方的挡板(9d)之间连结；

各子挡板(9g～9i)具备构成原料气体(3)的流动路径的开口部(9ga～9ia)。

9.根据权利要求8所述的碳化硅单晶的制造装置，其中，

各子挡板(9g～9i)被每种多个排列地配置在多段排列地配置的挡板(9d～9f)彼此之间及/或所述中空筒状部件(9c)的底部与所述最下方的挡板(9d)之间。