[发明专利]一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法

权利要求书

1.一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法，其特征在于包括步骤：

(1)、对绝缘衬底上的半导体器件光刻并进行第一次台面刻蚀，形成一阶梯状的样品结构；

(2)、在阶梯上方的台面制作微结构掩模层；

(3)、进行第二次台面刻蚀，同时刻蚀形成纳米阵列结构。

2.根据权利要求1所述的一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法，其特征在于：所述微结构掩模层仅制于上台面。

3.根据权利要求1或2所述的一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法，其特征在于：所述微结构掩模层形式至少包括纳米球、纳米柱或纳米孔阵列之一。

4.根据权利要求1所述的一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法，其特征在于：所述第二次台面刻蚀的深度与纳米阵列结构的深度相一致，而两次台面刻蚀深度之和大于半导体器件表面p型层或n型层和有源层的厚度之和，以使半导体器件露出n型层或p型层。

5.根据权利要求1所述的一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法，其特征在于：所述绝缘衬底至少包括：玻璃、蓝宝石和SOI硅片。

6.根据权利要求1所述的一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法，其特征在于：所述绝缘衬底上的半导体器件至少包括：太阳能电池、发光二极管、光电探测器和激光器。