[发明专利]一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法

权利要求书

1.一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是，所述微型麦克风的制备方法包括如下步骤：

(a)、提供连接板(1)与背极板(2)，所述连接板(1)与背极板(2)上均生长有氧化层(4)；

(b)、将背极板(2)放置在连接板(1)上，所述背极板(2)对应于生长氧化层(4)的表面与连接板(1)上对应于生长有氧化层(4)的表面相接触，背极板(2)与连接板(1)通过对应的氧化层(4)键合固定；

(c)、对上述背极板(2)进行刻蚀，使氧化层(4)上方相对应背极板(2)的厚度为4～10μm；

(d)、在厚度为4～10μm的背极板(2)上生长有绝缘键合层(11)；

(e)、提供基板(3)，并在基板(3)上凹设有安装槽(12)；

(f)、在基板(3)对应于设置安装槽(12)的表面及安装槽(12)的内周面上均生长有绝缘支撑层(13)；

(g)、在基板(3)对应于生长有绝缘支撑层(13)的表面上淀积振膜(5)；

(h)、选择性的掩蔽和刻蚀所述振膜(5)，得到位于安装槽(12)内的振膜(5)；

(i)、将背极板(2)放置在基板(3)上，背极板(2)上对应于生长有绝缘键合层(11)表面与基板(3)对应于生长有绝缘支撑层(13)的表面相接触，背极板(2)与基板(3)利用绝缘键合层(11)与绝缘支撑层(13)相键合固定；

(j)、刻蚀基板(3)上方的连接板(1)与氧化层(4)，去除背极板(2)上方的连接板(1)与氧化层(4)；

(k)、选择性的掩蔽和刻蚀背极板(2)，在背极板(2)上得到下电极孔(6)，所述下电极孔(6)与安装槽(12)相连通，且对应于振膜(5)的一端；

(l)、在上述背极板(2)上淀积电极层(15)，所述电极层(15)覆盖在背极板(2)的表面，并填充在下电极孔(6)的底部；

(m)、选择性的掩蔽和刻蚀电极层(15)，得到位于背极板(2)与振膜(5)上的电极(7)；

(n)、刻蚀振膜(5)上方的背极板(2)，得到位于背极板(2)上的若干声孔(8)，所述声孔(8)位于振膜(5)上方，并与安装槽(12)相连通；

(o)、刻蚀上述基板(3)对应于设有背极板(2)的另一端，得到位于振膜(5)下方的声腔(9)；

(p)、刻蚀振膜(5)下方的绝缘支撑层(13)，使振膜(5)与声腔(9)相连。

2.根据权利要求1所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是：所述氧化层(4)为二氧化硅。

3.根据权利要求1所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是：所述连接板(1)的材料为单晶硅。

4.根据权利要求1所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是：所述电极(7)的材料为铝、镉或金。

5.根据权利要求1所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是：所述振膜(5)的材料为导电多晶硅或绝缘材料与金属材料的复合层。

6.根据权利要求1所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是：所述绝缘支撑层(13)为二氧化硅或氮化硅。

7.根据权利要求1所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是：所述绝缘键合层(11)为二氧化硅。

8.根据权利要求1所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是：所述声孔(8)形状为圆形、方形或椭圆形。

9.根据权利要求1所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是：所述振膜(5)、背极板(2)分别与对应的电极(7)电性连接。

10.根据权利要求1所述基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是：所述背极板(2)为掺杂的单晶硅。