[发明专利]一种内容可寻址存储器

权利要求书

1.一种内容可寻址存储器，该内容可寻址存储器包括若干内核单元；所述内核单元包括：存储单元和比较电路单元；所述比较电路单元包括一N型MOS晶体管，该N型MOS晶体管串联在输入匹配线和输出匹配线之间，其特征在于，

所述比较电路单元还包括一P型MOS晶体管，该P型MOS晶体管的栅极耦合N型MOS晶体管的栅极，该P型MOS晶体管的源极耦合高电平端/该内核单元的输出匹配线，对应地，该P型MOS晶体管的漏极耦合该内核单元的输出匹配线/高电平端。

2.根据权利要求1所述内容可寻址存储器，其特征在于，所述存储单元为二值内核单元的存储单元，包括：两个交叉耦合的反相器，节点D存储一位数据，节点存储该位数据的互补值；

所述比较电路单元包括：两个串联在搜索信号线和互补搜索信号线之间的N型MOS晶体管，其中，耦合在搜索信号线上的N型MOS晶体管的栅极耦合到存储单元的节点D，耦合在互补搜索信号线上的N型MOS晶体管的栅极耦合到存储单元的节点。

3.根据权利要求1所述内容可寻址存储器，其特征在于，所述存储单元为二值内核单元的存储单元，包括：两个交叉耦合的反相器，节点D存储一位数据，节点存储该位数据的互补值；

所述比较电路单元包括：两个串联在搜索信号线和互补搜索信号线之间的P型MOS晶体管，其中，耦合在搜索信号线上的P型MOS晶体管的栅极耦合到存储单元中的节点耦合在互补搜索信号线上的P型MOS晶体管的栅极耦合到存储单元中的节点D。

4.根据权利要求1所述内容可寻址存储器，其特征在于，所述存储单元为三值内核单元的存储单元，包括：两组通过一对N型MOS晶体管级联的交叉耦合的反相器，第一组交叉耦合的反相器的节点D1存储第一位数据，节点存储该位数据的互补值；第二组交叉耦合的反相器的节点D2存储第二位数据，节点存储该位数据的互补值；

所述比较电路单元包括：两个串联在搜索信号线和互补搜索信号线之间的N型MOS晶体管，其中，耦合在搜索信号线上的N型MOS晶体管的栅极耦合到存储单元中的节点D1，耦合在互补搜索信号线上的N型MOS晶体管的栅极耦合到存储单元中的节点

5.根据权利要求1所述内容可寻址存储器，其特征在于，所述存储单元为三值内核单元的存储单元，包括：两组通过一对P型MOS晶体管级联的交叉耦合的反相器，第一组交叉耦合的反相器的节点D1存储第一位数据，节点存储该位数据的互补值；第二组交叉耦合的反相器的节点D2存储第二位数据，节点存储该位数据的互补值；

所述比较电路单元中包括：两个串联在搜索信号线和互补搜索信号线之间的P型MOS晶体管，其中，耦合在搜索信号线上的P型MOS晶体管的栅极耦合到存储单元中的节点耦合在互补搜索信号线上的P型MOS晶体管的栅极耦合到存储单元中的节点D2。

6.根据权利要求1所述内容可寻址存储器，其特征在于，

所述存储单元为二值内核单元的存储单元，包括：两个交叉耦合的反相器，节点D存储一位数据，节点存储该位数据的互补值；

所述比较电路单元包括：串联在搜索信号线和互补搜索信号线之间的两个串联的N型MOS晶体管和两个串联的P型MOS晶体管，

其中，耦合在搜索信号线上的N型MOS晶体管的栅极耦合到存储单元中的节点D，耦合在互补搜索信号线上的N型MOS晶体管的栅极耦合到存储单元中的节点；耦合在搜索信号线上的P型MOS晶体管的栅极耦合到存储单元中的节点，耦合在互补搜索信号线上的P型MOS晶体管的栅极耦合到存储单元中的节点D。

7.根据权利要求1所述内容可寻址存储器，其特征在于，所述若干内核单元之间采用混连的方式；

所述若干内核单元构成若干组级联的内核单元组，所述内核单元组之间采用并联连接方式，所述每一内核单元组的最后级联的内核单元的输出匹配线输入到或非逻辑或或逻辑，所述或非逻辑或或逻辑输出形成内容可寻址存储器的匹配结果。