[发明专利]电平移位器

权利要求书

1.一种电平移位器，包括：

一第一正电源供应节点，具有一第一正电源供应电压；

一第二正电源供应节点，具有高于上述第一正电源供应电压的一第二正电源供应电压；

一信号输入节点；

一闩锁器，包括：

一第一输出节点以及一第二输出节点，上述第一输出节点以及上述第二输出节点互为互补；

一第一PMOS晶体管以及一第一NMOS晶体管，分别具有耦接至上述第一输出节点的漏极；以及

一第二PMOS晶体管以及一第二NMOS晶体管，分别具有耦接至上述第二输出节点的漏极；

一第一预充电晶体管，包括耦接于上述第二正电源供应节点以及上述第一输出节点之间的一源-漏通道；

一第二预充电晶体管，包括耦接于上述第二正电源供应节点以及上述第二输出节点之间的一源-漏通道；以及

一第一延迟反相器，耦接于上述信号输入节点与上述第一NMOS晶体管以及上述第二NMOS晶体管的信号输入节点之间，其中上述第一延迟反相器用以在上述输入信号节点的输入信号到达上述第一NMOS晶体管和上述第二NMOS晶体管各自的栅极前，使上述第一预充电晶体管以及上述第二预充电晶体管，对各自上述第一输出节点和上述第二输出节点预充电。

2.如权利要求1所述的电平移位器，还包括一额外反相器，串联耦接于上述第一延迟反相器，其中上述额外反相器包括分别耦接于上述第一NMOS晶体管以及上述第二NMOS晶体管的栅极的一输入节点以及一输出节点。

3.如权利要求2所述的电平移位器，还包括串联耦接于上述第一延迟反相器以及上述额外反相器之间的一第二延迟反相器，且包括串联耦接于上述第二延迟反相器以及上述额外反相器之间的一第三延迟反相器。

4.如权利要求1所述的电平移位器，其中上述第一NMOS晶体管以及上述第二NMOS晶体管的源极电性连接一节点VSS。

5.如权利要求4所述的电平移位器，还包括：

一第三NMOS晶体管，包括具有耦接于上述第一输出节点的一漏极，耦接于上述第二输出节点的一栅极，以及耦接于一第一非-VSS节点的一源极；以及

一第四NMOS晶体管，包括具有耦接于上述第二输出节点的一漏极，耦接于上述第一输出节点的一栅极，以及耦接于一第二非-VSS节点的一源极。

6.如权利要求5所述的电平移位器，其中上述第一非-VSS节点以及上述第二非-VSS节点在一通道上，上述通道在上述第一延迟反相器的输出以及上述第一NMOS晶体管与上述第二NMOS晶体管其中之一的栅极之间。

7.一种电平移位器，包括：

一闩锁器，包括：

一第一输出节点以及一第二输出节点，上述第一输出节点以及上述第二输出节点互为互补；

一第一PMOS晶体管以及一第一NMOS晶体管，分别具有耦接至上述第一输出节点的漏极；以及

一第二PMOS晶体管以及一第二NMOS晶体管，分别具有耦接至上述第二输出节点的漏极；

一第一预充电晶体管，包括耦接于上述第一正电源供应节点以及上述第一输出节点之间的一源-漏通道；

一第二预充电晶体管，包括耦接于上述第一正电源供应节点以及上述第二输出节点之间的一源-漏通道；以及

多个反相器，以串联方式耦接，包括：

一第一反相器，其中上述第一反相器的一第一输入节点以及一第一输出节点各自耦接于上述第一预充电晶体管以及第二预充电晶体管的栅极：以及

一末级反相器，其中上述末级反相器的一第二输入节点以及一第二输出节点各自耦接于上述第一NMOS晶体管以及第二NMOS晶体管的栅极。

8.如权利要求7所述的电平移位器，其中上述反相器用以使得当上述闩锁器在稳态下，上述第一预充电晶体管的栅极电压与上述第一NMOS晶体管的栅极电压反相。

9.如权利要求7所述的电平移位器，其中上述反相器包括三个反相器。

10.如权利要求7所述的电平移位器，还包括一第二正电源供应电压节点，耦接于上述反相器的PMOS晶体管的源极，其中上述第一正电源供应电压节点具有一正电源供应电压，其较高于在上述第二正电源供应电压节点的正电源供应电压，且上述第一NMOS晶体管以及第二NMOS晶体管的源极电性连接至一节点VSS。