[发明专利]硅电磁铸造装置有效
| 申请号： | 201010197044.X | 申请日： | 2010-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101830465A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 金子恭二郎;宋明生 | 申请（专利权）人： | 丽达科技有限公司;金子恭二郎 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 中国香港九龙尖沙咀科学*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电磁 铸造 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅电磁铸造装置，包括炉体容器(100)和设置在炉体容器(100)内部的具导电性的坩埚(200)以及安装在该坩埚(200)外围的感应线圈(300)。所述的炉体容器(100)内设有一定压力的指定气体，该硅电磁铸造装置中的感应线圈(300)通电后，使坩埚(200)内的硅感应发热、熔解，然后凝固。其特征在于：所述坩埚(200)的外周面上嵌有由绝缘材料构成的刚性构造体(810，820)。
2.根据权利要求1所述的硅电磁铸造装置，其特征在于所述的刚性构造体(810，820)是指嵌入在坩埚(200)的外周面上的，处于熔解硅和凝固的硅铸块交界的凝固界面高度上的。
3.根据权利要求1或2所述的硅电磁铸造装置，其特征在于：所述的刚性构造体(810，820)是指嵌入在内径为35cm以上的坩埚(200)的外周面上的。
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