[发明专利]带有压电薄膜的基板

权利要求书

1.一种带有压电薄膜的基板，

包括：具有第一热膨胀系数的基板，以及

具有第二热膨胀系数的、在规定的条件下在上述基板上方成膜的、通式为(K，Na)NbO₃的钙钛矿结构的铌酸钾钠的压电薄膜；

形成有上述压电薄膜的上述基板基于上述第一热膨胀系数及上述第二膨胀系数之差，在室温中的翘曲具有10m以上的曲率半径，

上述压电薄膜具有0.2μm～10μm的膜厚，

上述压电薄膜在(001)面方向、(110)面方向或(111)面方向的任一个上取向，

上述压电薄膜是由平均粒径在0.1μm～1.0μm的范围内的(K，Na)NbO₃构成。

2.根据权利要求1所述的带有压电薄膜的基板，其特征在于：上述基板是硅基板。

3.根据权利要求1所述的带有压电薄膜的基板，其特征在于：上述基板是锗基板。

4.根据权利要求1所述的带有压电薄膜的基板，其特征在于：上述基板是砷化镓基板。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的带有压电薄膜的基板，其特征在于：上述基板在上述压电薄膜与上述基板之间具有下部电极，上述压电薄膜在与上述下部电极接触的面相反的面上具有上部电极，上述上部电极及/或上述下部电极被形成为含有白金。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的带有压电薄膜的基板，其特征在于：在上述下部电极与上述压电薄膜之间还有具备钙钛矿结构的层。

7.根据权利要求6所述的带有压电薄膜的基板，其特征在于：具有上述钙钛矿结构的层由通式为KNbO₃、NaNbO₃、LaNiO₃、SrRuO₃或SrTiO₃的化合物中的任一种构成。

8.根据权利要求1～7的任一项所述的带有压电薄膜的基板，其特征在于：上述压电薄膜由具有组成在0.4≤Na/(K+Na)≤0.75范围内的(K，Na)NbO₃构成。

9.根据权利要求1～8的任一项所述的带有压电薄膜的基板，其特征在于：上述压电薄膜包含除了钾、钠、铌或氧以外的其他元素。

10.根据权利要求9所述的带有压电薄膜的基板，其特征在于：上述压电薄膜中的上述其他的元素的含量为10％以下。

11.根据权利要求9或10所述的带有压电薄膜的基板，其特征在于：上述其他的元素为锂或钽。