[发明专利]半导体装置的生产方法有效
申请号: | 201010197639.5 | 申请日: | 2005-08-25 |
公开(公告)号: | CN101924124A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
发明(设计)人: | 前川慎志 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/10;H01L51/40;G09F9/33 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李进;李连涛 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 生产 方法 | ||
1.一种显示装置,该显示装置包括:
第一柔性基底;
第二柔性基底;
第一柔性基底和第二柔性基底之间的有机TFT;
与所述有机TFT电连接的象素电极;
普通电极;和
象素电极和普通电极之间的包含带电粒子的微胶囊;
其中所述有机TFT包含:
栅电极;
该栅电极上的栅绝缘膜;
该栅绝缘膜上的源电极和漏电极;
该源电极和漏电极上的有机半导体膜;和
该有机半导体膜上的包含绝缘材料的掩模。
2.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述掩模的边缘和有机半导体膜的侧表面相互对准。
3.根据权利要求1所述的显示装置,该装置还包括:
有机半导体膜上的无机膜,
其中所述掩模形成在该无机膜上。
4.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述源电极和漏电极的材料与栅电极的材料相同。
5.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述绝缘材料包括光敏树脂材料。
6.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述有机半导体膜包括并五苯。
7.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述第一柔性基底包括选自以下的一种:聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)和聚酰亚胺,且
其中所述第二柔性基底包括选自以下的一种:聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)和聚酰亚胺。
8.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述栅电极包括由有机物质形成的粘结剂。
9.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一柔性基底;
第二柔性基底;
第一柔性基底和第二柔性基底之间的有机TFT;
与所述有机TFT电连接的象素电极;
普通电极;和
象素电极和普通电极之间的包含带电粒子的微胶囊;
其中所述有机TFT包含:
栅电极;
该栅电极上的栅绝缘膜;
该栅绝缘膜上的有机半导体膜;
该有机半导体膜上的包含绝缘材料的掩模;和
该掩模上的源电极和漏电极。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述有机半导体膜具有锥形。
11.根据权利要求9所述的显示装置,
其中所述掩模的边缘和有机半导体膜的侧表面相互对准。
12.根据权利要求9所述的显示装置,该装置还包括:
有机半导体膜上的无机膜,
其中所述掩模形成在该无机膜上。
13.根据权利要求9所述的显示装置,
其中所述源电极和漏电极的材料与栅电极的材料相同。
14.根据权利要求9所述的显示装置,
其中所述绝缘材料包括光敏树脂材料。
15.根据权利要求9所述的显示装置,
其中所述有机半导体膜包括并五苯。
16.根据权利要求9所述的显示装置,
其中所述第一柔性基底包括选自以下的一种:聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)和聚酰亚胺,且
其中所述第二柔性基底包括选自以下的一种:聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)和聚酰亚胺。
17.根据权利要求9所述的显示装置,
其中所述栅电极包括由有机物质形成的粘结剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的