[发明专利]半导体装置及该半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

栅电极层；

所述栅电极层上的栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层；

所述氧化物半导体层上的第一缓冲层及第二缓冲层；以及

所述第一缓冲层及所述第二缓冲层上的源电极层及漏电极层，

其中，所述第一缓冲层及所述第二缓冲层的导电率高于所述氧化物半导体层的导电率且所述第一缓冲层及所述第二缓冲层受到反溅射处理及氮气氛中的热处理，

并且，所述氧化物半导体层和所述源电极层及所述漏电极层隔着所述第一缓冲层及所述第二缓冲层电连接。

2.一种半导体装置，包括：

栅电极层；

所述栅电极层上的栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层上的高导电氧化物半导体层；

所述高导电氧化物半导体层上的氧化物半导体层；

所述氧化物半导体层上的第一缓冲层及第二缓冲层；以及

所述第一缓冲层及所述第二缓冲层上的源电极层及漏电极层，

其中，所述第一缓冲层及所述第二缓冲层的导电率高于所述氧化物半导体层的导电率且所述第一缓冲层及所述第二缓冲层受到进行反溅射处理及氮气氛中的热处理，

所述高导电氧化物半导体层的导电率高于所述氧化物半导体层的导电率且通过进行反溅射处理及氮气氛中的热处理来形成，

并且，所述氧化物半导体层和所述源电极层及所述漏电极层隔着所述第一缓冲层及所述第二缓冲层电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述高导电氧化物半导体层使用由氧化物半导体而成的非单晶膜形成。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述高导电氧化物半导体层使用由包含氮的氧化物半导体而成的非单晶膜形成。

5.根据权利要求1所述半导体装置，其中所述第一缓冲层及所述第二缓冲层使用由氧化物半导体而成的非单晶膜形成。

6.根据权利要求2所述半导体装置，其中所述第一缓冲层及所述第二缓冲层使用由氧化物半导体而成的非单晶膜形成。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一缓冲层及所述第二缓冲层使用由包含氮的氧化物半导体而成的非单晶膜形成。

8.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一缓冲层及所述第二缓冲层使用由包含氮的氧化物半导体而成的非单晶膜形成。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层通过进行在氮气氛中的热处理形成。

10.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层通过进行氮气氛中的热处理形成。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层通过进行大气气氛中的热处理来形成。

12.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层通过进行大气气氛中的热处理来形成。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层包括位于所述第一缓冲层及所述第二缓冲层之间的区域，且其厚度薄于与所述第一缓冲层及所述第二缓冲层重叠的区域的厚度。

14.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层包括位于所述第一缓冲层及所述第二缓冲层之间的区域，且其厚度薄于与所述第一缓冲层及所述第二缓冲层重叠的区域的厚度。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述栅电极层的沟道方向上的宽度薄于所述氧化物半导体层的沟道方向上的宽度。

16.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述栅电极层的沟道方向上的宽度薄于所述氧化物半导体层的沟道方向上的宽度。