[发明专利]位置侦测的装置及方法有效
申请号: | 201010197760.8 | 申请日: | 2010-04-16 |
公开(公告)号: | CN102023775A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 叶尚泰;陈家铭;何顺隆 | 申请(专利权)人: | 禾瑞亚科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/045 | 分类号: | G06F3/045 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾台北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 位置 侦测 装置 方法 | ||
1.一种位置侦测的方法,其特征在于包含:
提供复数条导电条相叠构成的复数个相叠区;
依据相叠于每个相叠区的一对导电条间是否为通路判断是否为一被压触相叠区;
判断相应于每一个被压触相叠区的一接触点的位置;
进行一过滤程序以提供位置落于相应的相叠区的一预设范围内的该接触点的位置;以及
依据被提供的接触点位置判断出至少一压触的位置。
2.如权利要求1所述的位置侦测的方法,其特征在于更包括判断每一被压触相叠区相应的一压触,其中相应于相同压触的该被压触相叠区为相邻的相叠区。
3.如权利要求2所述的位置侦测的方法,其特征在于当至少一压触具有至少一接触点的位置落于相应的相叠区外时,只提供所有接触点皆落于相应的相叠区内的该压触的一压触位置。
4.如权利要求3所述的位置侦测的方法,其特征在于该压触位置是依据相应于同压触的所有接触点的位置来判断。
5.如权利要求3所述的位置侦测的方法,其特征在于更包括:
判断每一个被压触相叠区的一接触阻抗;以及
判断每一个压触的一总接触阻抗,该总接触阻抗为相应相同压触的所有相叠区的该接触阻抗的并联阻抗。
6.如权利要求5所述的位置侦测的方法,其特征在于该总接触阻抗小于一门坎限值的该压触的位置不被判断。
7.如权利要求5所述的位置侦测的方法,其特征在于该接触阻抗是依据该对导电条之一与另一在该接触点的电位与该接触点的位置来判断,该接触阻抗的判断包括:
判断该接触点的一第一维度位置与一第二维度位置,并且依据该第一维度位置与该第二维度位置判断出一第一维度阻抗与一第二维度阻抗;
在该对导电条之一与另一分别被提供一高电位与一低电位时感测该接触点在该对导电条上之一与另一之一第一接触电位与一第二接触电位;以及
判断出该接触阻抗,其中该接触阻抗为(R1+R2)/(((VH-VL)/(P1-P2))-1),其中R1、R2、VH、VL、P1、P2分别为该第一维度阻抗、该第二维度阻抗、该高电位、该低电位、第一接触电位、第二接触电位。
8.如权利要求5所述的位置侦测的方法,其特征在于该接触阻抗是依据该对导电条之一与另一在该接触点的电位与该被压触相叠区的位置来判断,该接触阻抗的判断包括:
依据该被压触相叠区的位置判断出一第一维度阻抗与一第二维度阻抗;
在该对导电条之一与另一分别被提供一高电位与一低电位时感测该接触点在该对导电条上之一与另一的一第一接触电位与一第二接触电位;以及
判断出该接触阻抗,其中该接触阻抗为(R1+R2)/(((VH-VL)/(P1-P2))-1),其中R1、R2、VH、VL、P1、P2分别为该第一维度阻抗、该第二维度阻抗、该高电位、该低电位、第一接触电位、第二接触电位。
9.如权利要求1所述的位置侦测的方法,其特征在于该相叠区的该接触点的判断包括:
轮流选择该对导电条之一与另一分别作为一被驱动导电条与一被感测导电条;
在提供一高电位与一低电位于该被驱动导电条两端时感测该被感测导电条的电位作为一位置电位;以及
依据该些位置电位判断该接触点的位置。
10.如权利要求1所述的位置侦测的方法,其特征在于该相叠区的该接触点的判断包括:
轮流选择该对导电条之一与另一分别作为一被驱动导电条与一被感测导电条;
在提供一高电位与一低电位于该被驱动导电条两端时感测该被感测导电条的电位作为一位置电位;
电性耦合一延伸电阻与该被驱动导电条以成为一延伸导电条;
在该延伸导电条未被压触时提供该高电位与该低电位于该延伸导电条以感测该延伸电阻与该被驱动导电条间的电位作为一未压触电位;
在该延伸导电条被压触时提供该高电位与该低电位于该延伸导电条以感测该延伸电阻与该被驱动导电条间的电位作为一被压触电位;以及
依据该位置电位、该被驱动导电条的该未压触电位与该被压触电位判断该接触点在该被驱动导电条的位置。
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