[发明专利]一种具有复合应变沟道的CMOS器件

权利要求书

1.一种具有复合应变沟道的CMOS器件，它包含有半导体衬底、阱区、源漏区、栅极、浅槽隔离区和应变区，其特征是该应变区是由两类晶格常数不同的材料交错排列形成应变沟道，在沟道中直接产生张应力或压应力。

2.根据权利要求1所述的具有复合应变沟道的CMOS器件，其特征是该器件包含有制作在半导体衬底(10)上的NMOSFET第一晶体管区和PMOSFET第二晶体管区，在第一晶体管区第一晶体管具有N型第一类材料(40)和第二类材料A(42)交错排列的复合沟道结构，沿沟道方向产生张应力；在第二晶体管区第二晶体管具有P型第一类材料(44)和第二类材料B(46)交错排列的复合沟道结构，沿沟道方向产生压应力。

3.根据权利要求2所述的具有复合应变沟道的CMOS器件，其特征是N型第二类材料A(42)的晶格常数比N型第一类材料(40)的晶格常数大，P型第二类材料B(46)的晶格常数比P型第一类材料(44)的晶格常数小。

4.根据权利要求3所述的具有复合应变沟道的CMOS器件，其特征是N型第一类材料(40)选用N型掺杂硅(Si)，第二类材料A(42)选用锗硅(SiGe)交错排列，Si/SiGe；P型第一类材料(44)选用P型掺杂硅(Si)，第二类材料B(46)选用碳化硅(SiC)交错排列，Si/SiC。