[发明专利]包含电阻器的存储单元的制造方法

权利要求书

1.一种包含电阻器的存储单元的制造方法，包括以下步骤：

a)在绝缘衬底上形成底电极层；

b)通过MOCVD在底电极层上形成阻变材料层；

c)在阻变材料上形成顶电极层；以及

d)对顶电极层和阻变材料层进行图案化，以形成分隔开的存储单元。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述绝缘衬底包括单晶Si底层和位于单晶Si底层上的SiO₂层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤a)中，通过溅射、蒸发或MOCVD形成底电极层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述底电极层由Pt组成。

5.根据权利要求1所述的方法，在步骤a)和b)之间还包括以下步骤：通过溅射或蒸发在绝缘衬底上形成金属粘附层，

其中，在步骤b)中，在金属粘附层上形成所述底电极层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述金属粘附层由Ti组成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤c)中，通过溅射、蒸发或MOCVD形成顶电极层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述顶电极层由TiN或Pt组成。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻变材料层由(M¹_xM²_1-x)_nM³_yO_z组成，其中M¹为Nb、Ta、V、Hf、Zr、Ti、Ce、Sr、Mg、La、Gd、Al、Mn、Pb、Ba、Ni、Zn、Co、Mo、Fe、Cu、W、Mn和Cr中的一种金属，M²为Nb、Ta、V、Hf、Zr、Ti、Ce、Sr、Mg、La、Gd、Al、Mn、Sr、Pb、Ba、Ni、Zn、Co、Mo、Fe、Cu、W、Mn和Cr中的不同于M¹的一种金属，M³是Mn、Ti、Zr、Ce、Fe、Hf、Al和Ta中的一种金属，其中，x是0-1；n是1、2或3，y是0、1或2，z是1-7。

10.根据权利要求9所述的方法，其中在步骤b)中，M¹、M²、M³的前驱体分别为选自醇盐前驱体、金属-β-二酮前驱体或者羰基金属前驱体构成的组中的至少一种。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述阻变材料层还包括作为掺杂剂的金属M⁴，M⁴替代M¹、M²、M³中的一种金属的一部分，并且比替代的金属的离子价态低。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在步骤b)中，M⁴的前驱体为选自醇盐前驱体、金属-β-二酮前驱体或者羰基金属前驱体构成的组中的至少一种。

13.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤b)和c)之间还包括退火脱氧，以在阻变材料层中形成氧空位。