[发明专利]光电转换装置及其制造方法和成像装置

权利要求书

1.一种光电转换装置，其包括：导电膜；光电转换层；和透明导电膜，

其中所述光电转换层含有富勒烯或富勒烯衍生物和光电转换材料，所述光电转换材料具有至少满足下列条件(A)或(B)的吸收光谱：

(A)：λ_M1＜λ_L1且λ_M2＜λ_L2

(B)：λ_M1＜λ_L1且Δ|λ_M1-λ_L1|＞Δ|λ_M2-λ_L2|

其中λ_L1，λ_L2，λ_M1和λ_M2是在400至800nm的波长范围内最大吸收强度的1/2的吸收强度处的波长，λ_L1和λ_L2各自表示当所述光电转换材料溶解在氯仿中时在氯仿溶液光谱中的波长，并且λ_M1和λ_M2各自表示在所述光电转换材料单独的薄膜吸收光谱中的波长，条件是λ_L1＜λ_L2且λ_M1＜λ_M2。

2.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述的条件(B)是下列条件(B′)：

(B′)：λ_M1＜λ_L1且Δ|λ_M1-λ_L1|＞2×Δ|λ_M2-λ_L2|。

3.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述的条件(B)是下列条件(B″)：

(B″)：λ_M1＜λ_L1且Δ|λ_M1-λ_L1|＞3×Δ|λ_M2-λ_L2|。

4.根据权利要求1所述的光电转换装置，其具有所述富勒烯或富勒烯衍生物的至少一部分是结晶的状态。

5.根据权利要求4所述的光电转换装置，其中所述富勒烯或富勒烯衍生物相对于基板在(111)方向上取向。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的光电转换装置，其中所述的导电膜，所述的光电转换层和所述的透明导电膜是以此顺序层叠的。

7.一种成像装置，所述成像装置配备有权利要求1至3中任一项所述的光电转换装置，所述成像装置包括：

半导体基板，所述半导体基板上层叠有所述光电转换层，

电荷积累部，所述电荷积累部用于积累在所述光电转换层中产生的电荷，并且在所述半导体基板的内部形成，和

连接部，所述连接部用于将所述光电转换层的电荷传输到所述电荷积累部。

8.一种制造权利要求1至3中任一项所述的光电转换装置的方法，所述方法包括：

在基板上形成所述导电膜、所述光电转换层和所述透明导电膜的步骤；和

在所述光电转换层的形成中，在加热所述基板的状态下，共沉积富勒烯或富勒烯衍生物和具有至少满足所述条件(A)或(B)的吸收光谱的光电转换材料的步骤。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中所述共沉积的气相沉积速率为0.5至

10.根据权利要求8所述的制造方法，其中所述基板的温度为100℃以下。